发明名称 |
半导体存储装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明包括:AL(10)、薄膜的PLYD(14)、连接AL与PLYD的CNT、在CNT区域的成为防止穿通用的蚀刻阻挡层的PLYD(18)、及连接PLYC与PLYD的THLC。将P型杂质导入PLYD里,并且使CNT区域的PLYC成为非掺杂区域。通过热处理工序,将PLYD的P型杂质再扩散到PLYC。使存储单元区域的PLYC变成了N型。在CNT0区域,将绝缘层(20)形成为凹状,使CNT区域的PLYD高度较低是所希望的。 |
申请公布号 |
CN1095203C |
申请公布日期 |
2002.11.27 |
申请号 |
CN96190348.1 |
申请日期 |
1996.04.17 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
唐泽纯一;渡边邦雄 |
分类号 |
H01L27/11;H01L21/8244;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L27/11 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
姜郛厚;叶恺东 |
主权项 |
1.一种包括多个存储单元的半导体存储装置,包括:第1布线层,上述第1布线层下方设置的薄膜第2布线层,连接上述第1、第2布线层的第1接触孔,设置于上述第2布线层下方、并在上述第1接触孔形成区域、用于防止穿通而成为蚀刻阻挡层的第3布线层,以及设置于上述第1接触孔下方,并连接上述第2布线层与上述第3布线层的第2接触孔;其特征在于,在上述第2布线层中导入第1导电类型杂质,由上述第3布线层形成的上述蚀刻阻挡层,至少在上述第1接触孔形成区域为非掺杂区域。 |
地址 |
日本东京都 |