| 发明名称 | 射频(RF)放大器电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,包括多个具有一栅极的非对称梯形栅极(ATG)MOSFET单体。每一单体的源极区与漏极区之一是与相邻的单体共享。该些单体是以并联的方式连接而提供所需的驱动电流并降低驱动电容。非对称梯形栅极(ATG)MOSFET是应用于高频的射频(RF)放大器。 | ||
| 申请公布号 | CN1381902A | 申请公布日期 | 2002.11.27 |
| 申请号 | CN01110714.6 | 申请日期 | 2001.04.13 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 王是琦;高启弘 |
| 分类号 | H01L29/78;H03F3/185 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种射频(RF)放大器电路，包括：一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，做为一放大器组件，该金属氧化物半导体场效晶体管被建构成一非对称梯形栅极(ATG)金属氧化物半导体场效晶体管。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||