| 主权项 |
1.一种控制晶圆的回收处理方法(追加一),包括下述步骤:于一控片上形成二氧化矽层;于该二氧化矽层上,形成氮化矽层;使用一蚀刻液进行蚀刻,对该氮化矽层及该二氧化矽层进行蚀刻,该蚀刻液对该二氧化矽层之蚀刻率远大于对氮化矽层的蚀刻率;以及使用一清洗液,对该控片进行清洗。2.如申请专利范围第1项所述之回收处理方法(追加一),其中该二氧化矽层系以化学气相沉积法或热氧化法形成者。3.如申请专利范围第1项所述之回收处理方法(追加一),其中该氮化矽层系在化学气相沉积室或炉管形成者。4.如申请专利范围第1项所述之回收处理方法(追加一),其中该蚀刻液系为氢氟酸。5.如申请专利范围第4项所述之回收处理方法(追加一),其中该氢氟酸之浓度约为49%至1%之间者。6.如申请专利范围第4项所述之回收处理方法(追加一),其中该氢氟酸的温度约在摄氏25度至80度之间者。7.如申请专利范围第1项所述之回收处理方法(追加一),其中该二氧化矽层的厚度约为45至1000埃者。8.如申请专利范围第1项所述之回收处理方法(追加一),其中该清洗液的组成为NH2OH:H2O2:H2O=1:1:5或1:4:60者。9.一种控制晶圆的回收处理方法(追加一),包括下述步骤:设一二氧化矽层于一控片上;形成一沈积层于该二氧化矽层上;使用一具有选择性蚀刻率之蚀刻液,对该沈积层及该二氧化矽层进行蚀刻,而该蚀刻液对该二氧化矽层之蚀刻率远大于对该沈积层之蚀刻率;以及使用一清洗液,对该控片进行清洗。10.如申请专利范围第9项所述之回收处理方法(追加一),其中该蚀刻液系为氢氟酸。11.如申请专利范围第10项所述之回收处理方法(追加一),其中该氢氟酸之浓度约为49%至1%之间者。12.如申请专利范围第10项所述之回收处理方法(追加一),其中该氢氟酸的温度约在摄氏25度至80度之间者。13.如申请专利范围第9项所述之回收处理方法(追加一),其中该二氧化矽层的厚度约为45至1000埃者。14.如申请专利范围第9项所述之回收处理方法(追加一),其中该清洗液的组成为NH2OH:H2O2:H2O=1:1:5或1:4:60者。图式简单说明:第一图系矽晶圆沉积氮化矽之示意图。第二图系本发明之一实施例。第三图为第二图所示流程之蚀刻步骤的示意图。第四图显示利用本发明回收之控片与全新晶圆数次实验所得到关系图。 |
