| 主权项 |
1.一种酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其包括:(A)以80至500rpm转速转动洗筒,打开酸液针阀提供预定温度之酸液,且打开气体针阀雾化酸液,清洗晶圆,并于预定时间后闭关该酸液针阀及该气体针阀;(B)洗筒在15至500rpm的转速下打开所有的DI水控制针阀,用DI水清洗晶圆及反应槽,于预定时间内,维持转速在15至80rpm之间,到达清洗时间后,关闭所有的DI水控制针阀;以及(C)以80至500rpm转速转动洗筒,打开气体针阀,用气体吹乾晶圆及反应槽。(D)同在步骤(B)中,于20rpm的转速下,打开针阀10提供DI水至反应槽为时至少60秒。2.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中步骤(A)之清洗时间为10至15分钟。3.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中在步骤(B)所用的打开所有的DI水控制针阀水温度在摄氏25度至95度之间。4.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中在步骤(B)中转速需降至15至80rpm之间,打开所有的DI水控制针阀为时至少30秒。5.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中在步骤(C)中打开针阀以氮气吹乾晶圆及反应槽的时间为5至10分钟。6.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为硫酸及双氧水的混合液,温度为摄氏90度。7.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为磷酸。8.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为氢氟酸,温度为摄氏25至90度。9.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为盐酸及双氧水之混合液,温度为摄氏30至70度。10.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为氢化铵及双氧水之混合液,温度为摄氏25至70度。11.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为过氧化氢及氢氟酸的混合液。12.如申请专利范围第1项所述的酸喷雾处理系统去除晶圆上因残酸所产生不良粒子的酸蚀刻方法,其中,该酸液为硝酸及氢氟酸的混合液。图式简单说明:图一为习知酸喷雾处理系统的立体图。图二A为习知酸喷雾处理系统的洗筒的上视图。图二B为习知喷柱的剖面图。图三为在习知的DI清洗步骤时,持续高转速下反应槽的剖面图。图四为在习知的DI清洗步骤时,持续高转速下所获得晶圆的扫描图,图中可看出有1324个不良粒子。图五为在习知的高转速下所获得晶圆的扫描图,图中可看出有465个不良粒子。图六为本发明的反应槽的剖面图。图七为在本发明的DI清洗步骤低转速下反应槽的剖面图。图八为在本发明的DI清洗步骤使用低转速下所获得晶圆的扫描图,图中只有少数的不良粒子。图九为在本发明的DI清洗步骤使用低转速下所获得晶圆的扫描图,图中只有少数的不良粒子。 |
