| 主权项 |
1.一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理 方法,该方法包含有下列步骤: 于一基底上沈积一由氮化矽或碳化矽(SiC)所构成 之保护层; 利用一低无线电频率(radio frequency,RF)功率之含氧 电浆,对该保护层表面进行一快速表面处理,以于 该保护层表面形成一亲水性表面(hydrophilic surface); 于该亲水性表面上形成一黏着促进涂层(adhesion promoter coating,APC),其中该黏着促进涂层系由一至少 具有一亲水基以及一疏水基之黏着促进剂分子所 构成;以及 于该黏着促进层上旋涂一有机低介电常数层; 其中该亲水性表面的形成可以改变该黏着促进剂 分子之排列,使该黏着促进剂分子之亲水基朝向该 亲水性表面,而使该黏着促进剂分子之疏水基朝向 该有机低介电常数层,从而同时改善该保护层-该 黏着促进涂层界面以及该黏着促进涂层-该有机低 介电常数层界面。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中该保护层系由电浆加强化学气相沈积(plasma- enhanced chemical vapor deposition,PECVD)技术所形成。3.如 申请专利范围第1项之方法,其中该表面处理所使 用之含氧电浆系为一氧化亚氮(nitrous oxide,N2O)电浆 。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该N2O气体流 量为2000至10000sccm(standard cubic centimeter per minute)。5 .如申请专利范围第1项之方法,其中该含氧电浆所 使用的RF功率范围介于100至1000瓦特(Watts)之间。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中该RF功率约为200 瓦特。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该表面 处理的时间小于15秒。8.如申请专利范围第1项之 方法,其中该表面处理的温度低于420℃。9.如申请 专利范围第1项之方法,其中该黏着促进涂层系为 Dow chemical公司所提供之AP4000黏着促进剂。10.如申 请专利范围第1项之方法,其中该有机低介电常数 层系为Dow chemical公司所提供之SiLK。11.一种用于半 导体制程之表面处理方法,该方法包含有: 于一基底上沈积一无机含矽层; 对该保护层表面进行一快速表面处理,利用一含氧 电浆,于该保护层表面形成一亲水性表面; 于该亲水性表面上形成一黏着促进涂层;以及 于该黏着促进层上旋涂一有机低介电常数层。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中该无机含矽层 系由氮化矽或碳化矽(SiC)所构成。13.如申请专利 范围第11项之方法,其中该无机含矽层系由电浆加 强化学气相沈积(PECVD)技术所形成。14.如申请专利 范围第11项之方法,其中该表面处理所使用之含氧 电浆系为一氧化亚氮(N2O)电浆。15.如申请专利范 围第14项之方法,其中该N2O气体流量约为5000sccm。16 .如申请专利范围第11项之方法,其中该表面处理的 时间小于15秒。17.如申请专利范围第11项之方法, 其中该黏着促进涂层系为Dow chemical公司所提供之 AP4000黏着促进剂。18.如申请专利范围第11项之方 法,其中该有机低介电常数层系为Dow chemical公司所 提供之SiLK。图式简单说明: 图一为习知涂布有机低介电常数层的方法示意图 。 图二为习知APC、保护层以及SiLKTM层的结构放大示 意图(其中A:AP分子内的亲水基,B:AP分子内的疏水基 ,C:AP分子内其它元素)。 图三与图四为本发明中涂布有机低介电常数层的 方法示意图(其中A:AP分子内的亲水基,B:AP分子内的 疏水基,C:AP分子内其它元素)。 |
