| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为:系在半导 体装置之制造作业中,包含有以下所叙述之作业: 对于矽系半导体试料,施加以阻剂图案化处理,并 且,还藉由反应性气体,而进行着乾式蚀刻处理之 作业;以及, 藉由该包含有硫酸和氟酸之第1药液,以便于对于 该附着在由于前述之乾式蚀刻处理而生成之前述 之半导体试料上的反应生成物,进行着洗净和除去 之作业。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之 制造方法,其中前述之第1药液之容积混合比,系为 硫酸5-7:氟酸1/400-1/1000,并且,药液温度系为25-70℃ 。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为:系在半 导体装置之制造作业中,包含有以下所叙述之作业 : 对于矽系半导体试料,施加以阻剂图案化处理,并 且,还藉由反应性气体,而进行着乾式蚀刻处理之 作业;以及, 藉由该包含有硫酸、过氧化氢水和氟酸之第2药液 ,以便于对于该附着在由于前述之乾式蚀刻处理而 生成之前述之半导体试料上的反应生成物和前述 之阻剂图案,藉由蚀刻处理,而进行着除去之作业 。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方 法,其中前述之第2药液之容积混合比,系为硫酸5-7: 过氧化氢水1:氟酸1/400-1/1000,并且,药液温度系为70- 100℃。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之 制造方法,其中前述之藉由乾式蚀刻处理而被蚀刻 掉之材料,系为单结晶矽、多结晶矽、非结晶质矽 、矽化物、多矽化物、氧化矽、氮化矽、或者氧 氮化矽之任何一种。6.如申请专利范围第3或4项之 半导体装置之制造方法,其中前述之藉由乾式蚀刻 处理而被蚀刻掉之材料,系为单结晶矽、多结晶矽 、非结晶质矽、矽化物、多矽化物、氧化矽、氮 化矽、或者氧氮化矽之任何一种。7.如申请专利 范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中前述 之乾式蚀刻用之反应用气体,系为溴化氢(HBr)、溴 气(Br2)、氯气(Cl2)、氟系气体(CF4.CHF3.CH2F2.或者C2F6) 之任何一种气体。8.如申请专利范围第3或4项之半 导体装置之制造方法,其中前述之乾式蚀刻用之反 应用气体,系为溴化氢(HBr)、溴气(Br2)、氯气(Cl2)、 氟系气体(CF4.CHF3.CH2F2.或者C2F6)之任何一种气体。9 .一种半导体装置,其特征为:系为藉由申请专利范 围第1至4项中任一项之所记载之半导体装置之制 造方法而制造出来之半导体装置。图式简单说明: 图1系为用以说明本发明之实施形态1之半导体装 置之制造方法的作业图。 图2系为用以说明本发明之实施形态2之半导体装 置之制造方法的作业图。 图3系为用以说明本发明之实施形态2之半导体装 置之制造方法的其他之作业图。 图4系为用以说明该实施着本发明之实施形态1-2之 半导体装置之制造方法的半导体制造系统的图式 。 |
