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Das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung umfaßt folgende Schritte: DOLLAR A Einstrahlen von Dotierstoffionen schräg zu den Seitenwänden eines Trenches (2), um die Dotierstoffionen nur in den Teil eines Halbleitersubstrats (1) längs den Seitenwänden des Trenches (2) zu implantieren, Einstrahlen von Dotierstoffionen parallel zu den Seitenwänden des Trenches (2), um die Dotierstoffionen nur in den Teil des Halbleitersubstrats (1) unterhalb des Bodens des Trenches (2) zu implantieren, Heizen des Substrats (1), um die implantierten Dotierstoffionen einzutreiben, um eine Offset-Drain-Zone (3) um den Trench (2) herum zu bilden und das Halbleitersubstrat (1) thermisch zu oxidieren, um den Trench (2) mit einem Oxid (4) zu füllen. Alternativ wird das Halbleitersubstrat (1) oxidiert, um den Trench (2) durch Oxidfilme schmäler zu machen, wobei ein schmaler Trench verbleibt, und der schmale verbleibende Trench wird mit einem Oxid gefüllt. Als weitere Alternative kann eine Mehrzahl von Trenches gebildet werden, wobei dann die Trenches mit einem Oxid gefüllt werden und die sich zwischen benachbarten Trenches erstreckenden verbleibenden Abschnitte des Halbleitersubstrats (1) durch thermische Oxidation in ein Oxid umgewandelt werden. Mit diesem Verfahren wird ein Lateral-Trench-MOSFET mit hoher Durchbruchspannung und einer Offset-Drain-Zone um den Trench herum geschaffen, deren Konzentration optimiert werden kann.
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