利用离子植入在介电层形成开口的方法

摘要

一种利用离子植入在介电层形成开口的方法,以离子植入方法减少化学气相蚀刻的侧向蚀刻,而化学气相蚀刻对罩幕层有高选择比,并以此化学气相蚀刻取代全部干蚀刻制程的部分蚀刻,而达到蚀刻深的介电层形成开口时,此开口有直的轮廓,且有效的减少因罩幕层损耗造成的临界尺寸损耗和刻痕的问题。

主权项

1、一种利用离子植入在介电层形成开口的方法，其特征在于：其包括下列步骤：提供一基底；形成一含离子介电层于该基底上；形成一未含离子介电层于该含离子介电层上；形成一罩幕层于未含离子介电层上，罩幕层包括第一开口，以暴露出部分未含离子介电层；利用罩幕层，进行离子植入步骤，于第一开口下的未含离子介电层，形成离子植入区，离子植入区深度不超过该未含离子介电层的厚度；利用罩幕层，进行化学气相蚀刻步骤，蚀刻该未含离子介电层的该离子植入区，形成第二开口；以及利用罩幕层，进行干蚀刻步骤，蚀刻该第二开口下的剩余的未含离子介电层和含离子介电层，以暴露出部分的基底。