| 发明名称 | 静电放电保护器件 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护器件,包括一半导体层、形成于半导体层内的一源极区、形成于半导体层内的一漏极区、形成于半导体层内且位于源极与漏极区之间的一信道区以及形成于信道区上的一栅极。漏极区中至少有一岛状物呈对称性或非对称性分布,此数个岛状物可由多晶硅或隔离氧化物所形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1379470A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
| 申请号 | CN01144554.8 | 申请日期 | 2001.12.20 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林锡聪 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L29/78 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护器件，其特征在于：包括：一第一掺杂区；一第二掺杂区，该第二掺杂区邻接该第一掺杂区且与该第一掺杂区之间有一间隙；至少一岛状物，沿着该第一掺杂区的一长度方向形成，其中沿着该长度方向形成的该些岛状物呈非对称性排列。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区研新三路四号 | ||