发明名称 | 气敏元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种气敏元件包括设有凹槽的硅基片、绝缘层、第一和第二形成图案的导电层以及用于感应从中穿过的气体的探测部分。在所述气敏元件中,绝缘层形成在没有形成凹槽的硅基片的顶部部分上。所述第一和第二形成图案的导电层在所述凹槽上面延伸,从而实际上与硅基片分开。探测部分形成在所述第一和第二形成图案的导电层的部分上。 | ||
申请公布号 | CN1379731A | 申请公布日期 | 2002.11.13 |
申请号 | CN00814534.2 | 申请日期 | 2000.10.17 |
申请人 | 世主安吉尼尔林株式会社;世主实业株式会社 | 发明人 | 李源培;李昊骏 |
分类号 | B81C1/00;G01N27/12 | 主分类号 | B81C1/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 武玉琴 |
主权项 | 1.一种气敏元件,包括:硅基片,它设有通过以预定深度形成图案而形成的凹槽;形成在除了所述凹槽之外的硅基片的顶部上的绝缘层;第一形成图案的导电层,它越过凹槽并且固定在绝缘层上,从而与硅基片电绝缘;第二形成图案的导电层,它越过凹槽并且固定在绝缘层上,从而与硅基片和所述第一形成图案的导电层电绝缘;形成在第一和第二形成图案的导电层的预定部分上的气体探测部分。 | ||
地址 | 韩国大田市 |