发明名称 内连线结构的双嵌工艺
摘要 一种使用双嵌工艺制造内连线结构的方法。该内连线结构具有一介电层,且一光阻层形成于其上。本发明的方法系通过在光阻层中形成沟道图案与介层窗图案,且将该沟道图案与介层窗图案移转至介电层中,以在介电层中蚀刻出一沟道与一介层窗。只使用一单一光罩就可在光阻层中形成沟道图案与介层窗图案。该单一光罩包括有一具有一第一透光系数的沟道定义部分,以在光阻中定义做为沟道的图案,且包括有一具有一第二透光系数的介层窗定义部分,以在光阻中定义做为介层窗的图案。该第一与第二透光系数可各包括不同光的相位。
申请公布号 CN1379461A 申请公布日期 2002.11.13
申请号 CN01109523.7 申请日期 2001.03.30
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 张文彬
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 北京集佳专利商标事务所 代理人 王学强
主权项 1.一种内连线结构的双嵌工艺,其特征在于:包括下列步骤:(a)于一基底上沉积一第一绝缘层;(b)在该第一绝缘层上沉积一第二绝缘层;(c)在该第二绝缘层上沉积一光阻层;以及(d)在该光阻层中形成一沟道图案与一介层窗图案。
地址 台湾新竹科学工业园区研新三路四号