| 发明名称 |
CMOS logic gate having buried channel NMOS transistor for semiconductor devices and fabrication method of the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2332982(B) |
申请公布日期 |
2002.11.13 |
| 申请号 |
GB19980027683 |
申请日期 |
1998.12.17 |
| 申请人 |
* HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
CHANG-MIN * BAE |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H03K19/0948;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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