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<p>본 발명은 반도체소자의 콘택 구조체를 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 이 방법은 콘택홀이 형성된 반도체기판 전면에 반도체층, 오오믹 금속층 및 장벽금속층을 차례로 형성하고, 반도체층 및 오오믹 금속층을 서로 열적으로 반응시키어 콘택홀의 바닥, 측벽 및 하부코너에 균일한 화합물층을 형성한다. 이에 따라, 콘택홀이 불순물층 및 이와 인접한 소자분리층을 노출시키는 경우에 불순물층의 접합 누설전류 특성과 아울러 콘택저항을 개선시킬 수 있다.</p> |
