| 主权项 |
1.一种供填充在半导体基片所形成之腔之方法,包含下列步骤:提供一半导体基片;在该半导体基片形成一腔;在温度低于约300℃在次大气压力沉积一腔衬里;在温度低于约300℃沉积一种腔填充金属,与该腔衬里之至少一部份成覆盖关系;以及施加低于约30MPa之低压至该腔衬里。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中至少上述腔衬里及填充金属之一系由至少下列材料之一种所构成:(1)A1-Ti(0.1%)-Cu(0.5%);(2)A1-Cu(0.5%);(3)A1-Cu(l%);(4)A1-Si(1%)-Cu(0.5%);(5)铝,(6)铜(Cu);(7)有镁(Mg),金(Au)及银(Ag)之一种或多种之铜合金;及(8)A1-Sc-Cu。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中上述腔伸延至少部份进入电介质常数少于约2.6之电介质材料内。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中上述电介质材料包含至少下列材料之一:聚四氟乙烯化合物,聚对苯二甲基,气凝胶,乾凝胶,及聚合旋压玻璃化合物。5.一种形成互连结构之方法,包含下列步骤:(a)形成贯穿孔,通过绝缘层,至基片上之第一金属层,以于贯穿孔底部处暴露第一金属层之一部份;(b)以含氮之电浆清洁贯穿孔侧壁及暴露之第一金属层;(c)于贯穿孔侧壁及底部上形成衬里;以及(d)以第二金属填充贯穿孔。6.如申请专利范围第5项之方法,其中步骤(b)含有第一金属氮化物之形成。7.如申请专利范围第5项之方法,其中步骤(d)含有沈积第二金属层及接着挤压第二金属层以填充贯穿孔。8.如申请专利范围第5项之方法,其中步骤(c)含有形成第一衬里层,以电浆清洁第一衬里层,且接着形成第二衬里层。图式简单说明:图1A及1B为一通路在根据本发明之各别初始及随后诸处理阶段之剖面图;图2为在实施本发明所使用之丛集工具之示意图;图3为习知结构在通路填充之后期阶段之剖面图;图4为一根据本发明所填充之通路之剖面图;图5为一通路在伴随填充之桥接后之剖面图;图6为根据本发明所填充之通路之剖面图;以及图7为曲线图,示习知通路及根据本发明所填充之通路之累积或然率及通路电阻。 |
