| 主权项 |
1.一种半导体装置,在元件隔离层上形成具有复数的同一特性的阻抗元件,还有在一个的该阻抗元件和邻接的该阻抗元件之间,存在至少一个的扩散领域,更者关于各个的该阻抗元件,其特征在于:被配置有该阻抗元件与周围的对应的该扩散领域之间的距离系各个皆相等的复数的该阻抗元件以及该扩散领域。2.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该元件隔离层系经由一研磨制程所形成。3.如申请专利范围第2项所述的半导体装置,其中该研磨制程系CMP制程。4.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该扩散领域系存在有复数个,而且复数的该扩散领域系同一形状。5.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该扩散领域系存在有复数个,而且复数的该扩散领域系针对各个的该阻抗元件的中心线或是中心点,而被配置在对称的位置。6.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该阻抗元件的周围系被该扩散领域包围而配置。7.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该阻抗元件系由复数的子的阻抗元件所构成。8.如申请专利范围第7项所述的半导体装置,其中该阻抗元件系由针对该阻抗元件的中心线或是中心点而被配置在对称配置的该复数的子的阻抗元件所构成。9.如申请专利范围第1项所述的半导体装置,其中该扩散领域的导电型和该阻抗元件的导电型系同一的。10.如申请专利范围第9项所述的半导体装置,其中该扩散领域的导电型和该扩散领域下部的井领域的导电型系同一的。11.一种半导体装置,在元件隔离层上形成具有复数的同一特性的阻抗元件,还有在一个的该阻抗元件和邻接的该阻抗元件之间,存在至少一个的金属导线,更者关于各个的该阻抗元件,其特征在于:被配置有该阻抗元件与周围的对应的该金属导线之间的距离系各个皆相等的复数的该阻抗元件以及该金属导线。12.如申请专利范围第11项所述的半导体装置,其中该元件隔离层系经由一研磨制程所形成。13.如申请专利范围第12项所述的半导体装置,其中该研磨制程系CMP制程。14.如申请专利范围第11项所述的半导体装置,其中该阻抗元件系由复数的子的阻抗元件所构成。15.如申请专利范围第14项所述的半导体装置,其中该阻抗元件系由针对该阻抗元件的中心线或是中心点而被配置在对称配置的该复数的子的阻抗元件所构成。图式简单说明:第1图是第1实施例的半导体装置的平面示意图。第2图是第1实施例的半导体装置的剖面示意图。第3图是模拟第1实施例的半导体装置的剖面示意图。第4图是第1实施例的半导体装置的平面示意图。第5图是第2实施例的半导体装置的平面示意图。第6图是第3实施例的半导体装置的平面示意图。第7图是第4实施例的半导体装置的平面示意图。第8图是第4实施例的半导体装置的平面示意图。第9图是第5实施例的半导体装置的平面示意图。第10图是第5实施例的半导体装置的平面示意图。第11图是第5实施例的半导体装置的平面示意图。第12图是第5实施例的半导体装置的平面示意图。第13a~b图是第6实施例的半导体装置的平面以及剖面示意图。第14a~b图是第6实施例的半导体装置的平面以及剖面示意图。第15a~b图是第7实施例的半导体装置的平面以及剖面示意图。第16图是第7实施例的半导体装置的平面示意图。第17图是习知的元件隔离层的剖面示意图。第18a~b图是说明经由习知的STI而形成元件隔离层的制程剖面示意图。第19a~b图是经由习知STI而在元件隔离层上形成的阻抗元件的平面和剖面示意图。 |
