| 发明名称 | 生长GaN晶体基片的方法和GaN晶体基片 | ||
| 摘要 | 在初始基片上沉积一层金属膜,初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层GaN膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构,在生长了GaN膜之后,GaN膜可以很容易地和初始基片分开,并且,能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体基片。 | ||
| 申请公布号 | CN1378238A | 申请公布日期 | 2002.11.06 |
| 申请号 | CN02107886.6 | 申请日期 | 2002.03.26 |
| 申请人 | 日立电线株式会社;日本电气株式会社 | 发明人 | 柴田真佐知;黑田尚孝 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.生产GaN晶体基片的工艺，其特征在于包括以下步骤：在初始基片上沉积一层金属膜，初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种；在金属膜上沉积一层GaN膜用于形成层状基片；然后把初始基片从沉积了GaN的层状基片除去，从而形成了自由固定的GaN晶体基片。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||