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发明名称
Method of writing data to a single transistor type ferroelectric memory cell
摘要
申请公布号
EP0827153(B1)
申请公布日期
2002.11.06
申请号
EP19970306010
申请日期
1997.08.07
申请人
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人
ISHIHARA, HIROSHI;TOKUMITSU, EISUKE
分类号
G11C14/00;G11C11/22;G11C16/04;H01L21/8247;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C11/22
主分类号
G11C14/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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