发明名称 METHOD FOR CORRECTING PHOTO-CONTIGUOUS EFFECT DURING MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 제1의 층(12)을 둘러싸는 제1의 주변 영역(44)을 지정하는 단계와; 상기 제1의 주변 영역(44)에 속하는 제2의 층(11)의 적어도 하나의 코너(17, 18)를 설정하는 단계와; 상기 코너(17, 18)를 둘러싸는 제1의 추가 영역(23)과 제2의 추가 영역으로 형성된 제2의 주변 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2의 주변 영역을 상기 제1의 층(12)에 부가하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 중의 광근접 효과를 보정하기 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 광근접 효과를 보정하기 위한 시간 주기 및 데이터의 증가를 억제할 뿐만 아니라 해상도의 악화를 방지할 수 있다.
申请公布号 KR100359461(B1) 申请公布日期 2002.11.04
申请号 KR19990051101 申请日期 1999.11.17
申请人 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 发明人 토우나이케이이치로
分类号 H01L21/3205;G03F1/36;G03F1/68;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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