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In einem Halbleitersubstrat (100) sind Halbleitergebiete (1, 2, 3 und 5), die zu einem IGBT gehören, in einem IGBT-Gebiet (20) ausgebildet und Halbleitergebiete (1 und 4), die zu einer Diode gehören, in einem Dioden-Gebiet (21) ausgebildet. Der IGBT und die Diode sind antiparallel miteinander verbunden. Ein Graben (15), in dem ein Isolator (16) eingegraben ist, ist zwischen dem IGBT-Gebiet (20) und dem Dioden-Gebiet (21) ausgebildet. Der Isolator (16) begrenzt einen umgekehrten Verzögerungsstrom, der von dem Dioden-Gebiet (21) in das IGBT-Gebiet (20) fließt. Auf diese Weise werden die Halbleitergebiete des IGBT und der Diode, die antiparallel miteinander verbunden sind, aus einem einzigen Halbleitersubstrat hergestellt, wodurch die Chipgröße verringert ist. |
