发明名称 一种互补型差分峰值检测电路
摘要 一种互补型差分峰值检测电路,其至少由一对互补比较器、一对电平移位跟随器、一对金属氧化物半导体(MOS)存储电容、四个MOS开关、一对放电电流源、一对偏置电流源以及一个以上分压电阻构成;当输入信号电压VIN大于等于当前上峰值电压VP时,充电开关导通,MOS存储电容被充电,上极板电压升高,使得VP的值升高,直到VP=VIN,完成上峰值的检测;当输入信号电压VIN小于当前上峰值电压VP时,充电开关闭合,MOS存储电容被缓慢放电,上极板电压降低,使VP的值降低,直到VP=VIN,完成上峰值的检测,下峰值原理相同。本实用新型的电路不仅可以减少电路走线和元器件数目,缩小集成芯片面积,降低电路设计复杂度和功耗,同时可以提高整个电路的稳定性和可靠性。
申请公布号 CN2519284Y 申请公布日期 2002.10.30
申请号 CN01267474.5 申请日期 2001.10.11
申请人 华为技术有限公司 发明人 裴晓东;任刚;程剑涛;周命福
分类号 G01R19/04;H04L27/00 主分类号 G01R19/04
代理机构 北京德琦专利代理有限公司 代理人 周金妹
主权项 1、一种互补型差分峰值检测电路,其特征在于:至少由一对互补比较器、一对电平移位跟随器、一对金属氧化物半导体(MOS)存储电容、四个MOS开关、一对放电电流源、一对偏置电流源以及一个以上分压电阻构成;其中,第一互补比较器的输出连接第一MOS开关的源极,该MOS开关的栅极与电源相连,其漏极连接第一MOS存储电容的上极板;第一偏置电流源的输入端与电源相连,其输出连接第一电平移位跟随器的栅极,该跟随器的漏极接地,源极连接第一MOS存储电容的上极板,第一偏置电流源的输出同时连接第一、第二分压电阻,该两电阻串联;第一MOS存储电容下极板接地,第一放电电流源与第一MOS存储电容并联;第三MOS开关的源极连接第一信号端,其栅极接地,漏极连接第一MOS存储电容的上极板;第二互补比较器的输出连接第二MOS开关的源极,该MOS开关的栅极接地,其漏极连接第二MOS存储电容的上极板,该MOS存储电容的下极板接地;第二电平移位跟随器的源极连接第二MOS存储电容的上极板,其漏极连接电源,栅极连至第二偏置电流源的输入端,该偏置电流源的输出接地,第二偏置电流源的输入端同时连接第三、第四分压电阻,该两电阻串联;第二放电电流源的正、负两端分别与电源和第二MOS存储电容的上极板相连;第四MOS开关的源极连接第二信号端,其栅极接电源,漏极连接第二MOS存储电容的上极板;第二、第四分压电阻的一端相连,第一、第二互补比较器的负输入端相连,并同时连接一输入信号,第一、第二互补比较器的正输入端分别连接第一、第二电平移位跟随器的栅极。
地址 518057广东省深圳市科技园科发路华为用服大厦
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