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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIRST, SECOND AND THIRD NONCRYSTALLINE FILMS SEQUENTIALLY FORMED ON INSULATING BASE WITH SECOND FILM HAVING THERMAL CONDUCTIVITY NOT LOWER THAN THAT OF FIRST FILM AND NOT HIGHER THAN THAT OF THIRD FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
摘要
申请公布号 KR100686946(B1) 申请公布日期 2007.02.26
申请号 KR20000063433 申请日期 2000.10.27
申请人 发明人
分类号 G02F1/136;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/77;H01L29/04;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
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