| 摘要 |
<p>P/W수리율이 개선될 수 있는 반도체메모리장치에서 사용되는 퓨즈소자를 제조하는 방법 및 이러한 방법에 의해 생산된 퓨즈소자이다. 이 방법은 퓨즈라인을 덮도록 하기 위하여 BPSG를 포함하는 제 1층간절연막을 형성하고 그 윗면을 평탄화하는 단계, 폴리실리콘막을 제 1층간절연막 위에 형성하는 단계, BPSG를 포함하는 제 2층간절연막을 폴리실리콘막 위에 형성하고 그 윗면을 평탄화하는 단계, 제 2층간절연막 및 폴리실리콘막의 상부지역을 부분적으로 식각하여 퓨즈라인 위쪽에 제 1개구부를 형성하는 단계, 금속배선층을 제 1개구부의 내벽들에 그리고 제 2층간절연막 위에 형성하는 단계, 제 1개구부의 바닥부분에서 금속배선층 및 폴리실리콘막을 부분적으로 식각하여 퓨즈라인 위쪽에 제 2개구부를 형성하고 제 1층간절연막을 노출하는 단계, 절연막부분을 제 1 및 제 2개구부들의 적어도 내벽들 위에 형성하는 단계, 그리고 제 2개구부의 바닥부분 및 제 1층간절연막의 상부지역에서 절연막을 부분적으로 식각하여 퓨즈라인 위쪽에 제 3개구부를 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
