| 摘要 |
<p>본 발명은 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 필드산화막, 터널 산화막, 폴리실리콘층을 형성하는 단계, 폴리실리콘층 상부에 산화막을 증착하는 단계, 산화막 상에 플로팅 게이트 마스크를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴에 따라서 상기 산화막을 식각하고 포토레지스트층을 제거하는 단계, 1차 스페이서 옥사이드를 증착한 후 전면식각하여 상기 산화막의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 스페이서를 배리어로 하여 폴리실리콘층을 패터닝하는 단계, 패터닝된 폴리실리콘층의 상부에 2차 스페이서 산화막을 증착하는 단계, 2차 스페이서 산화막을 식각하여 제거하는 단계; 및 패터닝된 제 1 폴리실리콘층을 포함한 전체 구조상에 유전체막 및 제 2 폴리실리콘층을 형성한 후, 콘트롤 게이트 마스크를 사용한 식각 공정으로 플로팅 게이트 및 콘트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.</p> |
