| 摘要 |
<p>본 발명은 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 웰 영역을 확산 구조로 형성하는 종래 플래쉬 메모리 소자의 경우, 웰 저항 및 기생 캐패시턴스 값이 크고, 소자의 소거 속도가 느린 문제점을 해결하기 위하여, 금속 실리사이드층을 이용하여 섹터 단위의 웰 영역을 형성하고 폴리실리콘층을 이용하여 단위 셀을 구분하므로써 웰 저항 및 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있고, 셀 단위의 소거 동작을 가능하게 하여 소자의 동작 속도를 향상시킬 수 있으며, 제조 단가를 저감시킬 수 있도록 한 플래쉬 메모리 소자의 제조방법이 개시된다.</p> |
