发明名称 |
Basisverbindungssubstrat, Herstellungsverfahren davon, Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren davon |
摘要 |
Eine Halbleiteranordnung enthält ein Basisverbindungssubstrat (1), welches einen Verbindungsabschnitt aufweist, einen IC-Chip (3), welcher auf dem Basisverbindungssubstrat (1) angebracht ist, und einen Gussharzabschnitt (4), welcher den IC-Chip (3) einkapselt. Das Basisverbindungssubstrat (1) enthält eine Elektrodenkontaktstelle (7) für eine äußere Verbindung, welche an dem Verbindungsabschnitt angeschlossen ist, und eine Verstärkungskontaktstelle (6) zum Verhindern, dass das Vasisverbindungssubstrat (1) in einem Spritzgussprozess deformiert wird. |
申请公布号 |
DE10157887(A1) |
申请公布日期 |
2002.10.24 |
申请号 |
DE2001157887 |
申请日期 |
2001.11.26 |
申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
SHIKANO, TAKETOSHI;MORIGA, NAMIKI;SUWA, TAKEHIKO |
分类号 |
H01L23/28;H01L21/56;H01L23/12;H01L23/31;H01L23/498 |
主分类号 |
H01L23/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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