发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 반도체기판(1)상에 배선 또는 능동소자(3)가 형성되고, 층간절연막(3)을 통해 상기 배선 또는 능동소자(3)상에 전극패드(5)가 형성된다. 전극패드(5) 표면상에 외부단자로의 본딩중에 상기 배선 또는 능동소자(3)의 보호를 위한 돌기전극이 형성되어 있다.
申请公布号 KR100356770(B1) 申请公布日期 2002.10.19
申请号 KR19990052984 申请日期 1999.11.26
申请人 샤프 가부시키가이샤 发明人 오노아쯔시;치카와야수노리
分类号 H01L21/60;H01L23/485 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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