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<p>본 발명은 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 트렌치형 소자분리막 형성공정중 트렌치 식각공정으로 형성된 트렌치 상부 및 하부의 모서리 부분이 후속 열처리공정으로 결함을 유발하는 현상을 방지하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 트렌치 식각공정후 트렌치 표면에 측벽 산화막을 성장시키기 위하여 웨이퍼를 로딩시키고 산화막 성장 온도까지 질소가스와 산소가스를 플로우 시키며 램프 업 한 다음, 상기 램프 업 된 온도에서 일정시간 안정화시키고 산소가스와 DCE ( di-chloro-ethylene, 이하에서 DCE 라 함 ) 가스를 플로우 시켜 산화막을 형성함으로써 트렌치 저부 ( bottom ) 과 상부 ( top ) 의 모서리 부분을 라운딩시켜 후속 공정시 반도체소자의 특성 열화를 방지함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 수율 및 생산성을 향상시키는 기술이다.</p> |
