发明名称 Halbleiterspeichervorrichtung mit Redundanzsystem
摘要 Eine in dem SDRAM enthaltene Bestimmungsschaltung (12) bestimmt auf der Grundlage von Signalen (/RRE1, /RRE2, /CRE1, /CRE2) von einem redundanten Zeilendekodierer (24) und einem redundanten Spaltendekodierer (28), ob es eine Programmierschaltung gibt, bei der ein Adreßsignal nicht programmiert ist, und gibt ein Signal (/REI) eines Pegels entsprechend des Ergebnisses der Bestimmung über einen Ausgangspuffer (13) und einen Signalausgangskontakt (T1) an die Außenseite aus. Dadurch kann sogar, nachdem der SDRAM gekapselt ist, auf einfache Weise bestimmt werden, ob die Reparatur möglich ist, indem der Pegel des Signals (/RE), das an dem Kontakt (T1) auftritt, erfaßt wird.
申请公布号 DE10156722(A1) 申请公布日期 2002.10.17
申请号 DE20011056722 申请日期 2001.11.19
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 ARIKI, TAKUYA
分类号 G11C11/401;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00;G11C8/00;G06F11/20 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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