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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Metalloxid-FET (MOSFET)
摘要
申请公布号 DE19654753(C2) 申请公布日期 2002.10.17
申请号 DE19961054753 申请日期 1996.12.30
申请人 LG SEMICON CO., LTD. 发明人 SON, JEONG-HWAN
分类号 H01L29/78;H01L21/265;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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