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<p>Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers mit doppelter Datenübertragungsrate. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Datenlese- und -schreibzugriff auf zwei Speicher bänke aufgeteilt wird, von denen eine erste Speicherbank mit einem Takt betrieben wird, der um 0,5 Takte gegenüber dem Betriebstakt der anderen, zweiten Speicherbank verschoben ist, und dass Datenteilströme am Ausgang der zwei Speicherbänke in einen Datenstrom mit doppelter Frequenz zusammengeführt werden.</p> |
