发明名称 |
多晶硅的制造方法和装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种由金属硅或氧化硅作为起始原料,通过一系列的连续工序进行流水作业,廉价而且大量地生产作为制品的多晶硅和使用该多晶硅制造基片的制造方法和装置。为了达到该目的,使用下列的各工序,由金属硅制造多晶硅和太阳能电池用硅基片,所说工序包括:A.将金属硅在减压下精炼,进而为了从熔体中除去杂质而进行凝固,获得铸块;B.将上述铸块的杂质浓集部分切除;C.将剩余部分再熔化,然后在氧化性气氛中将硼和碳从熔体中氧化除去,接着吹入氩气或氩和氢的混合气以进行脱氧;D.将上述脱氧后的熔体浇铸入铸模中进行定向凝固,获得铸块;E.把通过定向凝固获得的铸块中的杂质浓集部分切除。 |
申请公布号 |
CN1092602C |
申请公布日期 |
2002.10.16 |
申请号 |
CN96198989.0 |
申请日期 |
1996.10.14 |
申请人 |
川崎制铁株式会社 |
发明人 |
荒谷复夫;加藤嘉英;阪口泰彦;汤下宪吉;马场裕幸;中村尚道;花泽和浩 |
分类号 |
C01B33/02;C01B33/037;C30B28/06;C30B29/06;H01L31/04 |
主分类号 |
C01B33/02 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
魏金玺;杨丽琴 |
主权项 |
1.一种多晶硅的制造方法,其特征在于,使用以下各工序由金属硅制造多晶硅:A.将金属硅在真空中熔融,使其中的磷气化而将其脱除,然后进行凝固以从熔体中除去杂质成分,从而获得铸块;B.将上述铸块的杂质浓集部分切除;C.将杂质浓集部分切除后的剩余部分再熔化,然后在氧化性气氛中将硼和碳从熔体中氧化除去,接着向该熔体中吹入氩气或氩和氢的混合气以进行脱氧;D.将上述脱氧后的熔体浇铸入铸模中,进行定向凝固,获得铸块;E.把通过定向凝固获得的铸块的杂质浓集部分切除。 |
地址 |
日本兵库县神户市 |