| 发明名称 | 低压力衬里的浅沟隔离元件的制备方法 | ||
| 摘要 | 在一般以氮化硅为衬里的浅沟隔离元件中,其衬里与硅底材间会有极大的应力产生,而造成隔离元件中有裂痕或缺陷。本发明公开了一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法,其是以一介电材料为衬里,例如氮氧化硅或是氧化硅/氮化硅/氧化硅的多层结构,除了可缓解衬里与硅底材间的应力之外,并避免后续加工对半导体元件所造成的损害,以提高浅沟隔离元件的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN1374689A | 申请公布日期 | 2002.10.16 |
| 申请号 | CN01109498.2 | 申请日期 | 2001.03.14 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 徐震球;钟振辉;林义雄 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法，包含下列步骤：(a)氧化一硅底材的表面以形成一垫氧化层；(b)沉积一氮化硅帽盖于该垫氧化层上；(c)于该氮化硅帽盖上涂布一层光阻，并经平版印刷蚀刻而于该硅底材中形成一浅沟渠；(d)沉积一氮氧化硅于该浅沟渠内以形成衬里；及(e)沉积一氧化层以填充该浅沟渠。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||