| 发明名称 | 顶部导体包层的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种将磁性存储器器件顶部导体的二侧或三侧包覆在铁磁材料中的方法,此方法包括在存储器器件上的涂层中制作具有侧壁的沟槽。沿沟槽的侧壁淀积第一铁磁材料。沟槽底部中的任何铁磁材料能够被清除。导体材料被淀积在存储器器件上的沟槽中。第二铁磁材料被淀积在沟槽中的导体材料上,以便在导体的三侧周围形成由铁磁材料组成的包层。 | ||
| 申请公布号 | CN1374691A | 申请公布日期 | 2002.10.16 |
| 申请号 | CN01143132.6 | 申请日期 | 2001.12.10 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | J·H·尼克尔;T·C·安托尼 |
| 分类号 | H01L21/82;G11C11/02 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种将存储器器件顶部导体的至少二侧包覆在铁磁材料中的方法，此方法包含下列步骤：a)在存储器器件上的涂层中制作具有侧壁的沟槽；b)沿沟槽的侧壁淀积铁磁材料；c)在沿沟槽侧壁的铁磁材料之间的沟槽中淀积导体材料，从而在顶部导体二侧上形成由铁磁材料组成的包层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||