| 主权项 |
1.一种监视四层半导体层上曝光图案精确度的方法,包括下列步骤:依序于一第一半导体层上形成一第一标记图案、于上述第二半导体层上形成一第二标记图案、于上述第三半导体层上形成一第三标记图案及于上述第四半导体层上形成一第四标记图案,其中上述第一标记图案、第二标记图案与第三标记图案重叠形成一第一矩型框,且该第一矩形框重叠地包围上述第四标记图案,第一标记图案位于此第一矩形框之一第一平行对边上,第二标记图案与第三标记图案形成此第一矩形框之一第二平行对边;量测上述第四标记图案与上述第一标记图案之精确性;以及量测上述第四标记图案与上述第二标记图案及第三标记图案之精确性。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中上述第二标记图案包括一对平行的第二线型图案,分别位于上述第二平行对边之内侧。3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中上述第三标记图案包括一对平行的第三线型图案,分别位于上述第二平行对边之外侧。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中上述第四标记图案包括一第四线型图案,排列成一第二矩形框。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中上述第一标记图案包括两对互相平行的第一线型图案,分别位于上述第一平行对边上。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中上述第一标记图案包括一对平行的第一线型图案,分别位于上述第一平行对边上。7.如申请专利范围第1项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第一标记图案,于一第一维方向获得一第一位置;以及量测上述第四标记图案,于一第一维方向获得一第二位置,且检查上述第一位置与第二位置是否满足一既定误差。8.如申请专利范围第3项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第二平行对边之一侧边,获得具有第二线型图案与第三线型图案之该侧边之一第一平均位置;量测上述第二平行对边之另一侧边,获得具有第二线型图案与第三线型图案之另一侧边之一第二平均位置;计算第一平均位置与第二平均位置之平均値,获得第二标记图案与第三标记图案之共同的一第三位置;于平行于上述第一平行对边方向上,藉由对准扫描量测第四半导体层之第四标记图案,获得此第四标记图案于平行于上述第一平行对边之方向的一第四位置;以及检查上述第三位置与第四位置是否满足一既定误差。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中上述第二标记图案包括一第二线型图案,位于上述第二平行对边之一侧边;以及上述第三标记图案包括一第三线型图案,位于上述第二平行对边之另一侧边。10.如申请专利范围第9项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第二平行对边之一侧边,获得第二线型图案之一位置X'01;量测上述第二平行对边之另一侧边,获得第三线型图案之另一位置X'02;计算位置X'01与位置X'02之平均値,获得第二标记图案与第三标记图案之共同的第三位置;于平行于上述第一平行对边方向上,藉由对准扫描量测第四半导体层之第四标记图案,获得此第四标记图案于平行于上述第一平行对边之方向的一第四位置;以及检查上述第三位置与第四位置是否满足一既定误差。11.一种监视四层半导体层上曝光图案精确度的方法,包括下列步骤:依序于一第一半导体层上形成一第一标记图案、于上述第二半导体层上形成一第二标记图案、于上述第三半导体层上形成一第三标记图案及于上述第四半导体层上形成一第四标记图案,其中上述第一标记图案、第二标记图案与第三标记图案重叠形成一第一矩型框,上述第四标记图案排列成一第二矩形框,且该第二矩形框重叠地包围上述第一矩形框,第一标记图案位于此第一矩形框之一第一平行对边上,第二标记图案与第三标记图案形成此第一矩形框之一第二平行对边;量测上述第四标记图案与上述第一标记图案之精确性;以及量测上述第四标记图案与上述第二标记图案及第三标记图案之精确性。12.如申请专利范围第11项所述的方法,其中上述第二标记图案包括一对平行的第二线型图案,分别位于上述第二平行对边之内侧。13.如申请专利范围第12项所述的方法,其中上述第三标记图案包括一对平行的第三线型图案,分别位于上述第二平行对边之外侧。14.如申请专利范围第11项所述的方法,其中上述第二标记图案包括一第二线型图案,位于上述第二平行对边之一侧边;以及上述第三标记图案包括一第三线型图案,位于上述第二平行对边之另一侧边。15.如申请专利范围第11项所述的方法,其中上述第一标记图案包括两对互相平行的第一线型图案,分别位于上述第一平行对边上。16.如申请专利范围第11项所述的方法,其中上述第一标记图案包括一对平行的第一线型图案,分别位于上述第一平行对边上。17.如申请专利范围第11项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第一标记图案,于一第一维方向获得一第一位置;以及量测上述第四标记图案,于一第一维方向获得一第二位置,且检查上述第一位置与第二位置是否满足一既定误差。18.如申请专利范围第13项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第二平行对边之一侧边,获得具有第二线型图案与第三线型图案之该侧边之一第一平均位置;量测上述第二平行对边之另一侧边,获得具有第二线型图案与第三线型图案各另一侧边之一第二平均位置;计算第一平均位置与第二平均位置之平均値,获得第二标记图案与第三标记图案之共同的一第三位置;于平行于上述第一平行对边方向上,藉由对准扫描量测第四半导体层之第四标记图案,获得此第四标记图案于平行于上述第一平行对边之方向的一第四位置;以及检查上述第三位置与第四位置是否满足一既定误差。19.如申请专利范围第14项所述的方法,更包括下列步骤:量测上述第二平行对边之一侧边,获得第二线型图案之一位置X'01;量测上述第二平行对边之另一侧边,获得第三线型图案之另一位置X'02;计算位置X'01与位置X'02之平均値,获得第二标记图案与第三标记图案之共同的第三位置;于平行于上述第一平行对边方向上,藉由对准扫描量测第四半导体层之第四标记图案,获得此第四标记图案于平行于上述第一平行对边之方向的一第四位置;以及检查上述第三位置与第四位置是否满足一既定误差。图式简单说明:第1A图系概要显示一晶圆之上视图,其中于晶圆之切割道上形成复数重叠的标记图案;第1B图系显示利用习知的对准光罩图案形成的曝光图案;第2A图系显示本发明第一实施例,于一第一半导体层上形成之第一标记图案;第2B图系显示本发明第一实施例,于一第二半导体层上形成之第二标记图案;第2C图系显示本发明第一实施例,于一第三半导体层上形成之第三标记图案;第2D图系显示本发明第一实施例,于一第四半导体层上形成之第四标记图案;第3A图系显示本发明第二实施例,于一第一半导体层上形成之第一标记图案;第3B图系显示本发明第二实施例,于一第二半导体层上形成之第二标记图案;第3C图系显示本发明第二实施例,于一第三半导体层上形成之第三标记图案;第3D图系显示本发明第二实施例,于一第四半导体层上形成之第四标记图案;第4A图系显示本发明第一实施例之一种变化;第4B图系显示本发明第一实施例之另一种变化;第4C图系显示本发明第一实施例之再一种变化;第4D图系显示本发明第二实施例之另一种变化。 |
