| 主权项 |
1.一种半导体装置之微图案的形成方法,包含:形成一有机抗反射涂层于一半导体基板之顶部之上,及执行硬烘乾法;执行固化法于该有机抗反射涂层之上,以形成一碳化层于该处之上;涂覆一光阻层于该碳化层之上,及执行软烘乾法;执行曝射及显影法于该光阻层之上,以形成一光阻图案于该处之上,而形成一所生成之材料;以及清洗所生成之材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机抗反射涂层具有范围自10至100奈米之厚度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该硬烘乾法系在150℃至250℃之温度范围下执行于范围自10至300秒之时间周期。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该固化法包含离子布植及E射束(电子射束)固化法。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该固化法系离子布植而藉使用氢,氢,氖及砷之任一执行于范围自20至60KeV之加速电压处。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该固化法系具有剂量范围自500至4000C/cm2之E射束(电子射束)固化法。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻系g系列,KrF,及ArF光阻之任一,且形成有范围自100至1000奈米之厚度。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该软烘乾法系在90℃至130℃之温度范围下执行于范围自60至50秒之时间周期。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该曝射法系藉适用于该光阻之g系列KrF及ArF之任一之曝射工具予以执行。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该显影法系藉使用范围自0.1%至10%浓度之TMAH(四甲基铵氢氧化物)予以执行。图式简单说明:第1图描绘抗反射涂层与根据习知技术形成微图案中之光阻间之相互混合所造成的做足部现象;第2图描绘抗反射涂层与根据习知技术形成做图案中之光阻间之相互混合所造成的侧侵蚀现象;第3至6图系横剖面视图,描绘所揭示之半导体装置之微图案的形成方法;以及第7图描绘根据所揭示之半导体装置之微图案的形成方法所形成之无缺陷光阻图案。 |
