| 主权项 |
1.一种可在DRAM单元中形成COB式筒状储存节点的方法,包含下列步骤:形成一多层结构含有至少二个氧化矽层来作为一成型层其厚度超过8000;及该至少二个氧化矽层系被设成,位于较下方的氧化矽层会比较上方的氧化矽层具有更快的蚀刻速度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该位于较下方的氧化矽层系由BPSG制成,而较上方的氧化矽层系由PE-TEOS制成。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该BPSG层系在TEB/TMOP=12.5slm/5.9slm或11.3slm/5.2slm的条件下制成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该位于较下方的氧化矽层系由PE-Ox制成,而较上方的氧化矽层系由PE-TEOS制成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该多层结构系被制成超过20000的厚度。图式简单说明:第1图为以一习知制造储存节点的方法所制成之一DRAM单元的截面图。第2至7图为本发明之形成COB式筒状储存节点的方法之处理步骤的流程图。 |
