| 主权项 |
1.一种处理装置的清洁方法,系具有在对被处理基板进行处理之处理装置中,一面将含有可直接错体化指定金属的清洁气体供应至该处理室内,一面将清洁气体由该处理室内排出之工程。2.如申请专利范围第1项之清洁方法,其中之用以直接错体化金属之物质,系羧酸或羧酸的衍生物。3.如申请专利范围第2项之清洁方法,其中之羧酸或羧酸的衍生物,系以RCOOH、RCOOR'、或R(COOH)n来表示的物质(其中,R、R'是含有氦原子的碳氢基,n为整数)。4.如申请专利范围第3项之清洁方法,其中之用以直接错体化金属之物质,系三氟乙酸者。5.根据申请专利范围第1项之清洁方法,其中之处理装置为成膜装置者。6.根据申请专利范围第1项之清洁方法,其中之上述指定的金属为铜者。7.根据申请专利范围第1项之清洁方法,其中之上述的清洁气体,系含有促进上述指定金属错体化的添加剂者。8.根据申请专利范围第7项之清洁方法,其中之上述的添加剂为水蒸气者。9.一种处理装置之清洁方法,系包括:供应步骤,其系将含有可直接错体化指定金属的物质之清洁气体,供应至用以对被处理基板进行处理之处理装置的处理室内者;及排出步骤,其系将上述清洁气体,由该处理室内排出者。10.根据申请专利范围第9项之清洁方法,其中反覆交互进行上述供应步骤及上述排出步骤者。11.一种处理装置,系包括:处理室,其系处理被处理基板者;支撑器,其系在上述处理室内,载置上述被处理基板者;处理气体供应系统,其系用以将含有铜成份的处理气体,供应至上述处理室者;真空吸引器,使上述处理室内抽成真空者;及TFA供应系统,其系将三氟乙酸供应至上述处理室内者。12.如申请专利范围第11项之处理装置,其中之处理气体供应系统,系包含:处理剂槽;处理气体供应配管,其系用以连接上述处理室与上述处理剂槽者;及处理剂气化器,其系配置在上述处理气体供应配管中途者;而上述的TFA供应系统,系包括:TFA槽及TFA供应配管:其中之TFA供应配管,其系在上述处理剂气化器的处理气体流动方向下游侧,与处理气体供应配管相连接者。13.如申请专利范围第12项之处理装置,其中至少在上述处理剂供应配管的上述气化器下游侧,配置有加热器者。14.如申请专利范围第13项之处理装置,其中之处理室内,设置有用以加热该处理室壁面的加热器者。15.如申请专利范围第12项之处理装置,其中之上述处理剂槽,系用以储存含有铜成份之处理剂者。16.如申请专利范围第11项之处理装置,其中具有一种供应机制,其系用以供应可促进铜错体化之添加剂者。图式简单说明:图1,其系一垂直剖面图,用以显示本发明之处理装置(CVD装置)的整体构造者。图2,其系一模式图,用以显示本发明之处理装置的配管系统者。图3,其系一流程图,用以显示实施形态一之清洁方法者。图4,其系一流程图,用以显示实施形态二之清洁方法者。图5,其系一流程图,用以显示实施形态三之清洁方法者。图6,其系图表1,用以显示实施例二进行清洁的结果者。图7,其系其他图表,用以显示实施例二进行清洁的结果者。图8,其系一图表,用以显示实施例三进行清洁的结果者。 |
