| 主权项 |
1.一种垂直式的氮化物唯读记忆胞,包括:一基底,该基底中具有一沟渠;一闸极,该闸极包括一水平部分与一垂直部分,其中该水平部分覆盖于该基底上,该垂直部分嵌入该沟渠中且一端与该水平部分邻接;一捕捉层,位于该闸极与该基底之间;一第一源极/汲极区,位于该垂直部分另一端之该基底中;以及一第二源极/汲极区,位于该沟渠边缘之该基底中,且与该垂直部分及该水平部分连接。2.如申请专利范围第1项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中该捕捉层包括一混合介电层,该混合介电层包括氧化矽层-氮化矽层-氧化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中前述氧化矽层之形成方法包括低温热氧化法。4.如申请专利范围第2项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中前述氧化矽层之厚度系介于50埃至150埃之间。5.如申请专利范围第2项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中前述氮化矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第2项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中前述氮化矽层之厚度系介于20埃至150埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中该闸极之材料包括一掺杂多晶矽层,且该掺杂多晶矽层系由一未掺杂多晶矽层同时掺杂而得。8.如申请专利范围第7项所述之垂直式的氮化物唯读记忆胞,其中该掺杂多晶矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。9.一种金氧半电晶体,包括:一基底,该基底中具有一沟渠;一闸极,该闸极包括一水平部分与一垂直部分,其中该水平部分覆盖于该基底上,该垂直部分嵌入该沟渠中且一端与该水平部分邻接;一介电层,位于该闸极与该基底之间;一第一源极/汲极区,位于该垂直部分另一端之该基底中;以及一第二源极/汲极区,位于该沟渠边缘之该基底中,且与该垂直部分及该水平部分连接。10.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体,其中该介电层包括一混合介电层,该混合介电层包括氧化矽层-氮化矽层-氧化矽层。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体,其中前述氧化矽层之形成方法包括低温热氧化法。12.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体,其中前述氧化矽层之厚度系介于50埃至150埃之间。13.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体,其中前述氮化矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。14.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体,其中前述氮化矽层之厚度系介于20埃至150埃之间。15.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体,其中该该介电层包括氧化矽层。16.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体,其中该闸极之材料包括一掺杂多晶矽层,且该掺杂多晶矽层系由一未掺杂多晶矽层同时掺杂而得。17.如申请专利范围第16项所述之金氧半电晶体,其中该掺杂多晶矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。18.一种垂直式的氮化物唯读记忆单元,包括:一基底,该基底中具有一沟渠;一闸极,该闸极包括一水平部分与一垂直部分,其中该水平部分覆盖于该基底上,该垂直部分嵌入该沟渠中且一端与该水平部分邻接;一捕捉层,位于该闸极与该基底之间;一一般源极/汲极区,位于该垂直部分另一端之该基底中;一第一源极/汲极区,位于该沟渠之一端边缘之该基底中,且与该垂直部分及该水平部分连接;以及一第二源极/汲极区,位于该沟渠之另一端边缘之该基底中,且与该垂直部分及该水平部分连接。19.如申请专利范围第18项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中该捕捉层包括一混合介电层,该混合介电层包括氧化矽层-氮化矽层-氧化矽层。20.如申请专利范围第19项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中前述氧化矽层之形成方法包括低温热氧化法。21.如申请专利范围第19项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中前述氧化矽层之厚度系介于50埃至150埃之间。22.如申请专利范围第19项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中前述氮化矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。23.如申请专利范围第19项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中前述氮化矽层之厚度系介于20埃至150埃之间。24.如申请专利范围第18项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中该闸极之材料包括一掺杂多晶矽层,且该掺杂多晶矽层系由一未掺杂多晶矽层同时掺杂而得。25.如申请专利范围第24项所述之垂直式的氮化物唯读记忆单元,其中该掺杂多晶矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。26.一种半导体结构,于该半导体结构之一主动区内具有一第一传导形式,该第一传导形式之一基底至少包括一沟渠、以及嵌于该沟渠中且具有一水平部分与一垂直部分的一闸极电极,其中该水平部分覆盖于该基底上,该垂直部分垂直嵌入该沟渠中且一端与该水平部分邻接,以及至少于该垂直部分之附近覆盖一捕捉层,该半导体结构之特征包括:一第一源极/汲极区,位于该垂直部分另一端之该基底中;以及一第二源极/汲极区,位于该沟渠边缘之该基底中,且与该垂直部分及该水平部分连接。图式简单说明:第1图至第6图所示为本发明之一较佳实施例之垂直式的氮化物唯读记忆胞之制程的示意图。 |
