| 主权项 |
1.一种主动矩阵式基板,系形成于含有由画素区域 构成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画素区 域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角交叉 之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区域内 都形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘 层与该闸极电极相对的半导体层、以及一对落在 该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和 源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致将 画素电极连接到扫瞄线和信号线上、将汲极电极 连接到信号线上、并将源极电极连接到画素电极 上,其特征在于, 所有情形下的信号线、源极电极和汲极电极都是 藉由将金属层叠层形成于透明导电层顶部,而该源 极电极底下的透明导电层会延伸到该视窗区段之 闸极绝缘层上方以便形成该画素电极。2.一种主 动矩阵式基板,系形成于含有由许多扫瞄线将与许 多共同布线导线交替出现之阵列配置的透明绝缘 基板上,且含有扫瞄线和信号线的画素区域都是为 相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,其配置 方式是形成有配置方式是形成有包括闸极电极、 呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半 导体层、以及对落在该半导体层上方由通路缝隙 分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构 的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕的 视窗区段内形成了连接于共同布线导线上的梳齿 形状画素电极和梳齿形状共同电极以及相对的画 素电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极 电极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素 电极上,以便在该画素电极与该共同电极之间产生 相对于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在于, 系将共同布线导线及共同电极两者形成于同一层 上当作扫瞄线,且至少于该透明绝缘基板之某一周 界区段内形成该共同布线导线的端点区段以便延 伸到该周界区段内扫瞄线之端点区段外侧,而使各 共同布线导线的端点区段在同一层上相互连结成 扫瞄线。3.一种主动矩阵式基板,系形成于含有由 画素区域构成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一 个画素区域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以 直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画 素区域内都形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越 闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及 一对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲 极电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶 体,以致将画素电极形成于为扫瞄线和信号线所围 绕的视窗区段内以便让光透射出去,且将闸极电极 连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、 并将源极电极连接到画素电极上,其特征在于,将 其形状与信号线相同之半导体层形成于该信号线 底下一层上,而使该半导体层及信号线两者都覆盖 有透明导电层,并藉由将该透明导电层叠层于金属 层顶部上而形成源极电极及汲极电极,且该汲极电 极之上层内的透明导电层会延伸到视窗区段之闸 极绝缘层上方以形成画素电极。4.一种主动矩阵 式基板,系形成于含有由画素区域构成之阵列的透 明绝缘基板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线 和信号线且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号 线所围绕,且于每一个画素区域内都形成有包括闸 极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极 相对的半导体层、以及一对落在该半导体层上方 由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒 置交错结构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于 为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内以便让光 透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极 电极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素 电极上,其特征在于, 将具有凸状截面的半导体层形成于该信号线底下 一层内以便具有更宽的底部,且于该凸状半导体层 的上表面内形成金属层以及由该信号线构成的透 明导电层以致各横向表面都是对齐的,藉由将该透 明导电层叠层于金属层顶部上而形成源极电极及 汲极电极,且使该汲极电极之上层内的透明导电层 延伸到视窗区段之闸极绝缘层上方而形成画素电 极。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之主动矩 阵式基板,其中在形成于该源极电极及汲电极底下 一层内半导体层之上层内所形成之欧姆接触层的 厚度是3到6奈米(nm)。6.如申请专利范围第1至4项中 任一项之主动矩阵式基板,其中该扫瞄线系由铝或 基本上属铝制合金之单一薄膜层、或是由高熔点 金属以及铝或基本上属铝制合金之上层构成的叠 层结构所构成。7.如申请专利范围第1至4项中任一 项之主动矩阵式基板,其中该扫瞄线系由不少于两 层之导电膜叠层结构构成的,且该叠层结构之最上 层是由金属氮化物层或是透明导电膜构成的。8. 如申请专利范围第2项之主动矩阵式基板,其中该 信号线系由高熔点金属以及铝或基本上属铝制合 金之上层构成的叠层结构所构成的。9.如申请专 利范围第5项之主动矩阵式基板,其中该信号线系 由高熔点金属以及铝或基本上属铝制合金之上层 构成的叠层结构所构成的。10.如申请专利范围第2 项之主动矩阵式基板,其中该扫瞄线系由不少于两 层之导电膜叠层结构构成的,且该叠层结构之最上 层是由金属氮化物层或是透明导电膜构成的。11. 如申请专利范围第5项之主动矩阵式基板,其中该 扫瞄线系由不少于两层之导电膜叠层结构构成的, 且该叠层结构之最上层是由金属氮化物层或是透 明导电膜构成的。12.如申请专利范围第7项之主动 矩阵式基板,其中该金属氮化物层是由钛、钽、铌 、铬的氮化物膜或者基本上至少含有选自钛、钽 、铌、铬之一种金属的合金氮化物膜构成的。13. 如申请专利范围第10项之主动矩阵式基板,其中该 金属氮化物层是由钛、钽、铌、铬的氮化物膜或 者基本上至少含有选自钛、钽、铌、铬之一种金 属的合金氮化物膜构成的。14.如申请专利范围第 11项之主动矩阵式基板,其中该金属氮化物层是由 钛、钽、铌、铬的氮化物膜或者基本上至少含有 选自钛、钽、铌、铬之一种金属的合金氮化物膜 构成的。15.如申请专利范围第12项之主动矩阵式 基板,其中该金属氮化物层含有不少于25原子%的氮 原子浓度。16.如申请专利范围第11项之主动矩阵 式基板,其中该金属氮化物层含有不少于25原子%的 氮原子浓度。17.如申请专利范围第14项之主动矩 阵式基板,其中该金属氮化物层含有不少于25原子% 的氮原子浓度。18.一种用于制造主动矩阵式基板 的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由画素区 域构成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画素 区域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角交 叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区域 内都形成有色活闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝 缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一对落 在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极 和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致 将画素电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的视 窗区段内以便让光透射出去,且将闸极电极连接到 扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、并将源 极电极连接到画素电极上,其特征在于,该方法系 包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的扫 瞄线端子区段、以及每一个画素区域内从该扫瞄 线延伸到薄膜电晶体区段上或是该扫瞄线共同某 一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去 除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了薄膜电晶体区段之外将该半导体 层去除掉; 于第三光刻步骤中,接续地将透明导电层和金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线、形成于该 信号线开始端点区段内的信号线端子区段,以及每 一个画素区域内从该信号线延伸到薄膜电晶体区 段的汲极电极、画素电极、以及从该画素电极延 伸到跨越通路缝隙与该汲极电极呈相对配置之薄 膜电晶体区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该 金属层及透明导电层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且在藉由蚀刻法去除了该画素电极和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层以及该扫瞄线 上方的保护性绝缘层和闸极绝缘层之后,藉由蚀刻 法将该闸极电极和信号线端子区段上方的金属层 去除掉,以曝露出该画素电极以及由该透明导电层 构成的信号线端子区段和由该导体层构成的扫瞄 线。19.一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该主 动矩阵式基板系形成于含有由许多扫瞄线将与许 多共同布线导线交替出现之阵列配置的透明绝缘 基板上,且含有扫瞄线和信号线的画素区域都是为 相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,其配置 方式是形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极 绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一对 落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电 极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以 致于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内形成 了连接于共同布线导线上的梳齿形状画素电极和 梳齿形状共同电极以及相对的画素电极,以致将闸 极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号 线上、并将源极电极连接到画素电极上,以便在该 画素电极与该共同电极之间产生相对于该透明绝 缘基板的水平电场,其特征在于,该方法包括下列 步骤: 于第一光刻步骤中,将第一导体层形成于透明绝缘 基板上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点 内的扫瞄线端子区段、至少于该透明绝缘基板之 某一周界区段内之端点区段会延伸到相同周界区 段内扫瞄线之端点区段外侧的共同布线导线、用 于连结各共同布线导线之端点区段的共同布线连 结导线、于每一个画素区域内与该扫瞄线共用某 一部分之闸极电极、以及许多从共同布线导线延 伸出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该第一导体 层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,而除了扫瞄线上用以形成每一个画素 区域内薄膜电晶体区段用之闸极电极的部分之外, 藉由蚀刻法将该半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将第二导体层叠层于该透明绝 缘基板上,且除了信号线、形成于该信号线开始端 点区段内的信号线端子区段,以及每一个画素区域 内从该闸极电极上方之信号线延伸出来的汲极电 极、跨越该闸极绝缘层与共同电极相对的画素电 极、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该 汲极电极呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极 电极之外,藉由蚀刻法将该第二导体层去除掉,然 后藉由蚀刻法去除其中所露出的n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法将信号线端子区段上方的保 护性绝缘层以及该扫瞄线上方的保护性绝缘层和 闸极绝缘层去除掉,以曝露出包括该第二导体层的 信号线端子以及包括该第一导体层的扫瞄线端子 。20.一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该主动 矩阵式基板系形成于含有由画素区域构成之阵列 的透明绝缘基板上,其中每一个画素区域都含有扫 瞄线和信号线且系为相互以直角交叉之扫瞄线和 信号线所围绕,且于每一个画素区域内都形成有包 括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极 电极相对的半导体层、以及一对落在该半导体层 上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而 呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致将画素电极形 成于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内以便 让光透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线上、将 汲极电极连接到信号线上、并将源极电极连接到 画素电极上,其特征在于,该方法系包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的扫 瞄线端子区段、以及每一个画素区域内从该扫瞄 线延伸到薄膜电晶体区段上或是该扫瞄线共同某 一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去 除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层、以及金 属层叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线或是覆 盖住该信号线的某一部分、形成于该信号线开始 端点区段内的信号线端子区段,以及每一个画素区 域内从该信号线透过该薄膜电晶体区段延伸到画 素电极上的突起区段之外,藉由蚀刻法将该金属层 及半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了信号线、形成于该信号线开始端点 区段内的信号线端子区段,以及每一个画素区域内 从该信号线延伸到薄膜电晶体区段上的汲极电极 、画素电极、以及从该画素电极延伸到跨越通路 缝隙与该汲极电极呈相对配置之薄膜电晶体区段 上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该透明导电层去 除掉;然后藉由蚀刻法去除其中所露出的金属层及 n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法去除该画素电极和信号线端 子区段上方的保护性绝缘层以及该信号线端子区 段上方的保护性绝缘层和闸极绝缘层,以曝露出包 括该透明导电层的画素电极、包括由该金属层及 该透明导电层或是该透明导电层本身构成之叠层 结构的信号线端子、以及包括该导体层的扫瞄线 端子。21.一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该 主动矩阵式基板系形成于含有由画素区域构成之 阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画素区域都含 有扫瞄线和信号线且系为相互以直角交叉之扫瞄 线和信号线所围绕,且于每一个画素区域内都形成 有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该 闸极电极相对的半导体层、以及一对落在该半导 体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电 极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致将画素电 极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内 以便让光透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线上 、将汲极电极连接到信号线上、将汲极电极连接 到信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其 特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的 扫瞄线端子区段、以及每一个画素区域内从该扫 瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是该扫瞄线共同 某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该导体层 去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层的半导体层叠层于透明绝缘基板上,并藉 由搀杂V族元素于该半导体层上形成n+型非晶矽层, 然后淀积一金属层,且除了信号线或是覆盖住该信 号线的某一部分、形成于该信号线开始端点区段 内的信号线端子区段,以及每一个画素区域内从该 信号线透过该薄膜电晶体区段延伸到画素电极上 的突起区段之外, 藉由蚀刻法将该金属层及半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了信号线或是覆盖住该信号线的某一 部分、形成于该信号线开始端点区段内的信号线 端子区段、每一个画素区域内从该信号线延伸到 薄膜电晶体区段上的闸极电极、画素电极、以及 从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极 呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极电极之外, 藉由蚀刻法将该透明导电层去除掉,然后藉由蚀刻 法去除其中所露出的该金属层及藉由搀杂V族元素 而形成的n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法去除该画素电极和信号线端 子区段上方的保护性绝缘层以及该扫瞄线端子区 段上方的保护性绝缘层和闸极绝缘层,以曝露出包 括该透明导电层的画素电极、包括由该金属层及 该透明导电层或是该透明导电层本身构成之叠层 结构的信号线端子、以及包括该导体层的扫瞄线 端子。22.一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该 主动矩阵式基板系形成于含有由许多扫瞄线将与 许多共同布线导线交替出现之阵列配置的透明绝 缘基板上,且含有扫瞄线和信号线的画素区域都是 为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,其配 置方式是形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸 极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一 对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极 电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体, 以致于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内形 成了连接于共同布线导线上的梳齿形状画素电极 和梳齿形状共同电极以及相对的画素电极,以致将 闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信 号线上、并将源极电极连接到画素电极上,以便在 该画素电极与该共同电极之间产生相对于该透明 绝缘基板的水平电场,其特征在于,该方法包括下 列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的 扫瞄线端子区段、以及至少于该透明绝缘基板之 某一周界区段内之端点区段会延伸到相同周界区 段内扫瞄线之端点区段外侧的共同布线导线、用 于连结各共同布线导线之端点区段的共同布线连 结导线、于每一个画素区域内与该扫瞄线共用某 一部分之闸极电极、以及许多从共同布线导线延 伸出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该第一导体 层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层、以及金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线或是覆盖住 该信号线的某一部分、形成于该信号线开始端点 区段内的信号线端子区段、以及每一个画素区域 内从该信号线透过该薄膜电晶体区段延伸到画素 电极上的突起区段之外,藉由蚀刻法将该金属层及 半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层、金属氮化物膜 层、或是第二导体层叠层于该透明绝缘基板上,且 除了信号线或是覆盖住该信号线的某一部分、形 成于该信号线开始端点区段内的信号线端子区段, 以及每一个画素区域内从该信号线延伸到到该闸 极电极上方之薄膜电晶体区段上的汲极电极、跨 越该闸极绝缘层与共同电极相对的画素电极、以 及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电 极呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极电极之 外,藉由蚀刻法将该透明导电层、金属氮化物膜层 、或是第二导体层去除掉,然后藉由蚀刻法去除部 分金属层以及其中所曝露出的n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 板上,藉由蚀刻法将信号线端子区段上方的保护性 绝缘层以及该扫瞄线端子区段上方的保护性绝缘 层和闸极绝缘层去除掉,以曝露出由金属层及该透 明导电层或金属氮化物膜层、或该透明导电层、 或该金属氮化物膜层、或包括该第二导体层中任 意一种叠层结构的信号线端子以及包括该导体层 的扫瞄线端子。23.一种用于制造主动矩阵式基板 的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由许多扫 瞄线将与许多共同布线导线交替出现之阵列配置 的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号线的画素 区域都是为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所 围绕,其配置方式是形成有包括闸极电极、呈岛状 而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层 、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔 开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄 膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗 区段内形成了连接于共同布线导线上的梳齿形状 画素电极和梳齿形状共同电极以及相对的画素电 极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极 连接到信号线上、并将源极电极连接到画素电极 上,以便在该画素电极与该共同电极之间产生相对 于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在于,该方 法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的 扫瞄线端子区段、以及至少于该透明绝缘基板之 某一周界区段内之端点区段会延伸到相同周界区 段内扫瞄线之端点区段外侧的共同布线导线、用 于连结各共同布线导线之端点区段的共同布线连 结导线,于每一个画素区域内与该扫瞄线共用某一 部分之闸极电极、以及许多从共同布线导线延伸 出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去除 掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,并藉由搀杂V族元素于该半导体层上 形成n+型非晶矽层,然后淀积一金属层,且除了信号 线或是覆盖住该信号线的某一部分、形成于该信 号线开始端点区段内的信号线端子区段、以及每 一个画素区域内从该信号线透过该薄膜电晶体区 段延伸到画素电极上的突起区段之外,藉由蚀刻法 将该金属层及半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层、金属氮化物膜 层、或是第二金属层叠层于该透明绝缘基板上,且 除了信号线或是覆盖住该信号线的某一部分、形 成于该信号线开始端点区段内的信号线端子区段, 以及每一个画素区域内从该信号线延伸到到该闸 极电极上方之薄膜电晶体区段上的汲极电极、跨 越该闸极绝缘层与共同电极相对的画素电极、以 及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电 极呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极电极之 外,藉由蚀刻法将该透明导电层、金属氮化物膜层 、或是第二金属层去除掉,然后藉由蚀刻法去除其 中所曝露出的该金属层以及藉由搀杂V族元素而形 成的n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法将信号线端子区段上方的保 护性绝缘层以及该扫瞄线端子区段上方的保护性 绝缘层和闸极绝缘层去除掉,以曝露出由金属层及 该透明导电层或金属氮化物膜层、或该透明导电 层、或该金属氮化物膜层、或包括该第二导体层 中任意一种叠层结构的信号线端子以及包括该导 体层的扫瞄线端子。24.一种用于制造主动矩阵式 基板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由许 多扫瞄线将与许多共同布线导线交替出现之阵列 配置的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号线的 画素区域都是为相互以直角交叉之扫瞄线和信号 线所围绕,其配置方式是形成有包括闸极电极、呈 岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导 体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙 分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构 的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕的 视窗区段内形成了连接于共同布线导线上的梳齿 形状画素电极和梳齿形状共同电极以及相对的画 素电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极 电极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素 电极上,以便在该画素电极与该共同电极之间产生 相对于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在于, 该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的 扫瞄线端子区段、以及至少于该透明绝缘基板之 某一周界区段内之端点区段会延伸到相同周界区 段内扫瞄线之端点区段外侧的共同布线导线、用 于连结各共同布线导线之端点区段的共同布线连 结导线、于每一个画素区域内与该扫瞄线共用某 一部分之闸极电极、以及许多从共同布线导线延 伸出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去 除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层、以及金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线或是覆盖住 该信号线的某一部分、形成于该信号线开始端点 区段内的信号线端子区段,每一个画素区域内从该 信号线透过该薄膜电晶体区段延伸到画素电极上 的突起区段、以及透过该闸极绝缘层从该突起区 段延伸到该共同电极上的画素电极或是覆盖住该 画素电极的某一部分之外,藉由蚀刻法将该金属层 及半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将第透明导电层、金属氮化物 膜层、或是第二金属层叠层于该透明绝缘基板上, 且除了信号线或是覆盖住该信号线的某一部分、 形成于该信号线开始端点区段内的信号线端子区 段,以及每一个画素区域内从该信号线延伸到该闸 极电极上方之薄膜电晶体区段上的汲极电极、画 素电极或是覆盖住该画素电极的某一部分、以及 从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极 呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极电极之外, 藉由蚀刻法将该透明导电层、金属氮化物膜层、 或是第二金属层去除掉,然后藉由蚀刻法去除其中 所曝露出的该金属层以及n型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法将信号线端子区段上方的保 护性绝缘层以及该扫瞄线端子区段上方的保护性 绝缘层和闸极绝缘层去除掉,以曝露出由金属层及 该透明导电层或金属氮化物膜层、或该透明导电 层、或该金属氮化物膜层、或包括该第二导体层 中任意一种叠层结构的的信号线端子以及包括该 导体层的扫瞄线端子。25.一种用于制造主动矩阵 式基板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由 许多扫瞄线将与许多共同布线导线交替出现之阵 列配置的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号线 的画素区域都是为相互以直角交叉之扫瞄线和信 号线所围绕,其配置方式是形成有包括闸极电极、 呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半 导体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝 隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结 构的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕 的视窗区段内形成了连接于共同布线导线上的梳 齿形状画素电极和梳齿形状共同电极以及相对的 画素电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲 极电极连接到信号线上、并将源极电极连接到画 素电极上,以便在该画素电极与该共同电极之间产 生相对于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在于 ,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,而除了扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点内的 扫瞄线端子区段、以及至少于该透明绝缘基板之 某一周界区段内之端点区段会延伸到相同周界区 段内扫瞄线之端点区段外侧的共同布线导线、用 于连结各共同布线导线之端点区段的共同布线连 结导线、于每一个画素区域内与该扫瞄线共用某 一部分之闸极电极、以及许多从共同布线导线延 伸出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去 除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,并藉由搀杂V族元素于该半导体层上 形成n+型非晶矽层,然后淀积一金属层,且除了信号 线或是覆盖住该信号线的某一部分、形成于该信 号线开始端点区段内的信号线端子区段、以及每 一个画素区域内从该信号线透过该薄膜电晶体区 段延伸到画素电极上的突起区段之外,以及透过该 闸极绝缘层从该突起区段延伸到相对共同电极上 的画素电极或是覆盖住该画素电极的某一部分之 外,藉由蚀刻法将该金属层及半导体层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层、金属氮化物膜 层、或是第二金属层叠层于该透明绝缘基板上,且 除了信号线或是覆盖住该信号线的某一部分、形 成于该信号线开始端点区段内的信号线端子区段, 以及每一个画素区域内从该信号线延伸到到该闸 极电极上方之薄膜电晶体区段上的汲极电极、画 素电极或是覆盖住该画素电极的某一部分、以及 从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极 呈相对配置之薄膜电晶体区段上的源极电极之外, 藉由蚀刻法将该透明导电层、金属氮化物膜层、 或是第二金属层去除掉,然后藉由蚀刻法去除其中 所曝露出的该金属层以及藉由搀杂V族元素而形成 的n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,藉由蚀刻法将信号线端子区段上方的保 护性绝缘层以及该扫瞄线端子区段上方的保护性 绝缘层和闸极绝缘层去除掉,以曝露出由金属层及 该透明导电层或金属氮化物膜层、或该透明导电 层、或该金属氮化物膜层、或包括该第二导体层 中任意一种叠层结构的信号线端子以及包括该导 体层的扫瞄线端子。26.如申请专利范围第18至25项 中任意一项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其 中于该第一光刻步骤中该导体层系藉由叠层铝或 基本上属铝制合金、或是藉由将高熔点金属以及 铝或基本上属铝制合金之上层叠层于该透明绝缘 基板上而形成的。27.如申请专利范围第18至25项中 任意一项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其中 于该第一光刻步骤中该导体层系藉由将不少于两 层之导电膜以及包括金属氮化物层或是透明导电 膜的上层叠层于该透明导电基板上而形成的。28. 如申请专利范围第19项和第22至25项中任意一项之 用于制造主动矩阵式基板的方法,其中于该第一光 刻步骤中该第二导体层或第二金属层系藉由叠层 高熔点金属以及铝或基本上属铝制合金之上层而 形成的。29.如申请专利范围第19项之用于制造主 动矩阵式基板的方法,其中于该第一光刻步骤中该 第二导体层系藉由叠层不少于两层之导电膜以及 包括金属氮化物层或是透明导电膜的上层而形成 的。30.如申请专利范围第27项之用于制造主动矩 阵式基板的方法,其中该金属氮化物层系由钛、钽 、铌、铬的氮化物膜或者基本上至少含有选自钛 、钽、铌、铬之一种金属的合金氮化物膜构成的 。31.如申请专利范围第29项之用于制造主动矩阵 式基板的方法,其中该金属氮化物层系由钛、钽、 铌、铬的化物膜或者基本上至少含有选自钛、钽 、铌、铬之一种金属的合金氮化物膜构成的。32. 如申请专利范围第30项之用于制造主动矩阵式基 板的方法,其中该金属氮化物层系由反应喷溅法而 形成的以便产生不少于25原子%的氮原子浓度。33. 如申请专利范围第31项之用于制造主动矩阵式基 板的方法,其中该金属氮化物层系由反应喷溅法而 形成的以便产生不少于25原子%的氮原子浓度。34. 如申请专利范围第1至4项中任意一项之主动矩阵 式基板,其中各信号线系藉由包括非晶矽之高电阻 导线而相互连接的。35.如申请专利范围第1至4项 中任意一项之主动矩阵式基板,其中各信号线系跨 越与该扫瞄线同时形成之浮动电极上方的非晶矽 层而相互连接的。36.如申请专利范围第34项之主 动矩阵式基板,其中各相邻信号线都会在相对于某 一画素区域之输入侧内含有一对或更多对的相对 突起区段,且各突起区段系藉由非晶矽层而相互连 接的。37.如申请专利范围第35项之主动矩阵式基 板,其中各相邻信号线都会在相对于某一画素区域 之输入侧内含有一对或更多对的相对突起区段,且 各突起区段系藉由非晶矽层而相互连接的。38.如 申请专利范围第1至4项中任意一项之主动矩阵式 基板,其中各信号线系藉由非晶矽构成之高电阻导 线而连接到共同布线导线上的。39.如申请专利范 围第1至4项中任意一项之主动矩阵式基板,其中各 信号线系跨越与该扫瞄线同时形成之浮动电极上 方的非晶矽层而连接到共同布线导线上的。40.如 申请专利范围第38项之主动矩阵式基板,其中形成 于同一层上当作信号线的各相邻信号线和各共同 布线导线,或是连接到形成于同一层上当作扫瞄线 以及形成于同一层上当作信号线之共同布线导线 上的信号线连结导线,都会在该信号线端点上含有 一对或更多对的相对突起区段,且各突起区段系藉 由非晶矽层而相互连接的。41.如申请专利范围第 39项之主动矩阵式基板,其中形成于同一层上当作 信号线的各相邻信号线和各共同布线导线,或是连 接到形成于同一层上当作扫瞄线以及形成于同一 层上当作信号线之共同布线导线上的信号线连结 导线,都会在该信号线端点上含有一对或更多对的 相对突起区段,且各突起区段系藉由非晶矽层而相 互连接的。42.一种主动矩阵式基板,系形成于含有 由画素区域阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画 素区域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角 交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区 域内都形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极 绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一对 落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电 极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以 致将画素电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的 视窗区段内以便让光透射出去,且将闸极电极连接 到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、将源 极电极连接到画素电极上,其特征在于,该汲极电 极和源极电极都是藉由将金属层叠层到透明导电 层顶部上而形成的,而包括该透明导电层以及该源 极电极之金属层的叠层结构会垂直地下降到该透 明绝缘基板上以覆盖由闸极绝缘层和半导体层构 成之叠层结构的横向表面,此外该金属层底下的透 明导电层会在该透明绝缘基板顶部朝该视窗区段 延伸以形成该画素电极,而该透明绝缘基板上方与 扫瞄线同时形成的导体层横向表面则完全为该闸 极绝缘层所覆盖。43.一种主动矩阵式基板,系形成 于含有由许多扫瞄线将与许多共同布线导线交替 出现之阵列配置的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线 和信号线的画素区域都是为相互以直角交叉之扫 瞄线和信号线所围绕,其配置方式是形成有包括闸 极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极 相对的半导体层、以及一对落在该半导体层上方 由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒 置交错结构的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号 线所围绕的视窗区段内形成了连接于共同布线导 线上的梳齿形状画素电极和梳齿形状共同电极以 及相对的画素电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线 上、将汲极电极连接到信号线上、并将源极电极 连接到画素电极上,以便在该画素电极与该共同电 极之间产生相对于该透明绝缘基板的水平电场,其 特征在于,该源极电极之导体层会垂直地下降到该 透明绝缘基板上以覆盖由闸极绝缘层和半导体层 构成之叠层结构的横向表面,此外会在该透明绝缘 基板顶部朝该视窗区段延伸以形成该画素电极,而 该透明绝缘基板上方与扫瞄线同时形成的导体层 横向表面则完全为该闸极绝缘层所覆盖。44.一种 主动矩阵式基板,系形成于含有由各画素区域构成 之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画素区域都 含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角交叉之扫 瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区域内都形 成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与 该闸极电极相对的半导体层、以及一对落在该半 导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极 电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致将画素 电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段 内以便让光透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线 上、将汲极电极连接到信号线上、并将源极电极 连接到画素电极上,其特征在于, 该汲极电极和源极电极都是藉由将透明导电层叠 层到金属层顶部而形成的,而该源极电极上方之透 明导电层会垂直地下降到该透明绝缘基板上以覆 盖住由闸极绝缘层、半导体层和金属层构成之叠 层结构的横向表面,此外会在该透明绝缘基板顶部 朝该视窗区段延伸以形成该画素电极,而该透明绝 缘基板上方与扫瞄线同时形成的导体层横向表面 则完全为该闸极绝缘层所覆盖。45.如申请专利范 围第44项之主动矩阵式基板,其中在形成于该源极 电极及汲极电极底下一层内半导体层之上层内所 形成之欧姆接触层的厚度是3到6奈米(nm)。46.如申 请专利范围第43项之主动矩阵式基板,其中该扫瞄 线系包括高熔点金属以及铝或基本上属铝制合金 之上层构成的叠层结构。47.如申请专利范围第43 项之主动矩阵式基板,其中该扫瞄线系包括不少于 两层导电膜之叠层结构,且该叠层结构之最上层是 包括金属氮化物层或是透明导电膜。48.如申请专 利范围第47项之主动矩阵式基板,其中该金属氮化 物层是由钛、钽、铌、铬的氮化物膜或者基本上 至少含有选自钛、钽、铌、铬之一种金属的合金 氮化物膜构成的。49.如申请专利范围第48项之主 动矩阵式基板,其中该金属氮化物层含有不少于25 原子%的氮原子浓度。50.如申请专利范围第42至45 项中任意一项之主动矩阵式基板,其中该半导体层 上由沿薄膜电晶体区段之通路缝隙方向延伸之两 个横向表面构成的部分系为该保护性绝缘层所覆 盖。51.如申请专利范围第42至45项中任意一项之主 动矩阵式基板,其中该扫瞄线系包括不少于两层之 导电膜叠层结构,且该叠层结构之最上层系扮演着 于下层内形成导体层用之蚀刻保护层的角色。52. 如申请专利范围第51项之主动矩阵式基板,其中该 下层内的至少一层导体膜系包括铝或基本上属铝 制合金,且该上层内的导电膜系由钛、钽、铌或至 少含有前述原始元素之一的合金构成的,或是包括 钛、钽、铌、铬或者基本上至少含有选自钛、钽 、铌、铬之一种金属的合金氮化物膜。53.如申请 专利范围第42.44或45项之主动矩阵式基板,其中形 成连接结构以便使形成有扫瞄线的第一导体层接 到形成有信号线的第二导体层上,且该连接结构的 配置方式是使之不致重叠于该保护性绝缘层的开 口区段上。54.如申请专利范围第42或43项之主动矩 阵式基板,其中形成有扫瞄线的第一导体层与形成 有信号线的第二导体层系透过凿穿该闸极绝缘层 及该半导体层之开口区段而直接连接的。55.如申 请专利范围第44或45项之主动矩阵式基板,其中形 成有扫瞄线的第一导体层与形成有信号线的第二 导体层系透过凿穿该闸极绝缘层及该半导体层之 开口区段而直接于该透明导电层上。56.如申请专 利范围第42项之主动矩阵式基板,其中该前面阶段 扫瞄线之各导体层系跨越由该闸极绝缘层及该半 导体层构成之叠层结构而互为相对的,而从画素电 极延伸出来的透明导电层会形成累积电容区段,且 于此累积电容区段内该透明导电层以及该半导体 层之横向端点表面是对齐的。57.如申请专利范围 第44或45项之主动矩阵式基板,其中该前面阶段扫 瞄线之各导体层系跨越由该闸极绝缘层及该半导 体层构成之叠层结构而互为相对的,而该画素电极 内之金属层以及叠层于上方之透明导电层会形成 累积电容区段,且于此累积电容区段内该透明导电 层、该金属层、以及该半导体层之横向端点表面 是对齐的。58.一种用于制造主动矩阵式基板的方 法,该主动矩阵式基板系形成于含有由画素区域构 成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画素区域 都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角交叉之 扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区域内都 形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层 与该闸极电极相对的半导体层、以及一对落在该 半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和源 极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致将画 素电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区 段内以便让光透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄 线上、将汲极电极连接到信号线上、将汲极电极 连接到画素电极上,其特征在于,该方法包括下列 步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线开始端点 内的扫瞄线端子区段、以及每一个画素区域内从 该扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄 线共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该 导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中导体层上 方的特定开口区段,并留下至少覆盖住该导体层之 上层以及整个横向表面的闸极绝缘层之外,将该半 导体层及该闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,接续地将透明导电层和金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线、形成于该 信号线端子位置内的信号线端子区段,透过形成于 该扫瞄线端子区段上方之开口区段连接到该扫瞄 线端点区段上的连接电极区段,以及每一个画素区 域内从该信号线延伸到薄膜电晶体区段上的汲极 电极、画素电极、以及从该画素电极延伸到跨越 通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体区段上 的源极电极之外,藉由蚀刻法将该金属层及透明导 电层去除掉,然后再藉由蚀刻法将其中露出的n+型 非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少用 以形成该薄膜电晶体区段之半导体层的保护性绝 缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层 及该半导体层,然后再藉由蚀刻法去除在形成于该 画素电极之保护性绝缘层以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的开口区段上所露出的金属层, 以曝露出该画素电极和包括该透明导电层的信号 线端子区段,以及透过凿穿该半导体层及该闸极绝 缘层之开口区段叠层于具有透明导电层之导体层 上方的扫瞄线端子。59.一种用于制造主动矩阵式 基板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由画 素区域构成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个 画素区域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直 角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素 区域内都形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸 极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一 对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极 电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体, 以致将画素电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕 的视窗区段内以便让光透射出去,且将闸极电极连 接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、将 汲极电极连接到画素电极上,其特征在于,该方法 包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线以及每一个画素区域内从该 扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄线 共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该导 体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中导体层上 方的特定开口区段,并留下至少覆盖住该导体层之 上层以及整个横向表面的闸极绝缘层之外,将该半 导体层及该闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,接续地将透明导电层和金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线、形成于该 信号线端子位置内的信号线端子区段,透过形成于 该扫瞄线端子区段上方之开口区段连接到该扫瞄 线端点区段上的连接电极区段,藉由进一步从连接 电极区段延伸出来而形成于该扫瞄线端子位置内 的扫瞄线端子区段,以及每一个画素区域内从该信 号线延伸到薄膜电晶体区段上的汲极电极、画素 电极、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与 该汲极电极相对之薄膜电晶体区段上的源极电极 之外,藉由蚀刻法将该金属层及透明导电层去除掉 ,然后再藉由蚀刻法将其中露出的n+型非晶矽层去 除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少用 以形成该薄膜电晶体区段之半导体层的保护性绝 缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层 及该半导体层,然后再藉由蚀刻法去除在形成于该 画素电极之保护性绝缘层以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的开口区段上所露出的金属层, 以曝露出该画素电极、该扫瞄线端子以及包括该 透明导电层的信号线端子区段。60.一种用于制造 主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系形成 于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘基板上, 其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线且系 为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于 每一个画素区域内都形成有包括闸极电极、呈岛 状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体 层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙分 隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构的 薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线和信 号线所围绕的视窗区段内以便让光透射出去,且将 闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信 号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其特征 在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子位置 内的扫瞄线端子区段,以及每一个画素区域内从该 扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄线 共用某一部分的闸极电极,在各相邻扫瞄线之间依 非接触方式形成下层信号线以形成一部分信号线 之外,藉由蚀刻法将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中导体层上 方的特定开口区段,并留下至少覆盖住该导体层之 上层以及整个横向表面的闸极绝缘层之外,将该半 导体层及该闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,接续地将透明导电层和金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了信号线、形成于该 信号线端子位置内的信号线端子区段、透过形成 于该扫瞄线端子区段上方之开口区段连接到该扫 瞄线端点区段上的连接电极区段、透过凿穿该半 导体层及该闸极绝缘层之开口区段用来连接跨越 该扫瞄线与相邻画素区域相对之下层信号线的上 层信号线,以及每一个画素区域内从该上层信号线 延伸到薄膜电晶体区段上的汲极电极、画素电极 、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲 极电极相对之薄膜电晶体区段上的源极电极之外, 藉由蚀刻法将该金属层及透明导电层去除掉,然后 再藉由蚀刻法将其中露出的n+型非晶矽层去除掉; 且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少用 以形成该薄膜电晶体区段之半导体层的保护性绝 缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层 及该半导体层,然后再藉由蚀刻法去除在形成于该 画素电极之保护性绝缘层以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的开口区段上所露出的金属层, 以曝露出该信号线端子和包括该透明导电层的画 素电极、以及透过凿穿该半导体层及该闸极绝缘 层之开口区段叠层于具有透明导电层之导体层上 方的扫瞄线端子。61.一种用于制造主动矩阵式基 板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由画素 区域构成之阵列的透明绝缘基板上,其中每一个画 素区域都含有扫瞄线和信号线且系为相互以直角 交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一个画素区 域内都形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极 绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及一对 落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲极电 极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以 致将画素电极形成于为扫瞄线和信号线所围绕的 视窗区段内以便让光透射出去,且将闸极电极连接 到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、并将 源极电极连接到画素电极上,其特征在于,该方法 包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线以及每一个画素区域内从该 扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄线 共用某一部分的闸极电极,在各相邻扫瞄线之间依 非接触方式形成下层信号线以形成一部分信号线 之外,藉由蚀刻法将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中导体层上 方的特定开口区段,并留下至少覆盖住该导体层之 上层以及整个横向表面的闸极绝缘层之外,将该半 导体层及该闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,接续地将透明导电层和金属层 叠层于透明绝缘基板上,且除了形成于该信号线端 子区段位置内的信号线端子区段、透过形成于该 扫瞄线端子区段上方之开口区段连接到该扫瞄线 端点区段上的连接电极区段,藉由进一步从连接电 极区段延伸出来而形成于该扫瞄线端子位置内的 扫瞄线端子区段,透过凿穿该半导体层及该闸极绝 缘层之开口区段用来连接跨越该扫瞄线与相邻画 素区域相对之下层信号线的上层信号线,以及每一 个画素区域内从该上层信号线延伸到薄膜电晶体 区段上的汲极电极、画素电极、以及从该画素电 极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜 电晶体区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该金 属层及透明导电层去除掉,然后再藉由蚀刻法将其 中露出的n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少用 以形成该薄膜电晶体区段之半导体层的保护性绝 缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层 及该半导体层,然后再藉由蚀刻法去除在形成于该 画素电极之保护性绝缘层以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的开口区段上所露出的金属层, 以曝露出该信号线端子、该扫瞄线端子和包括该 透明导电层的画素电极。62.一种用于制造主动矩 阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有 由许多扫瞄线将与许多共同布线导线交替出现之 阵列配置的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号 线的画素区域都是为相互以直角交叉之扫瞄线和 信号线所围绕,其配置方式是形成有包括闸极电极 、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的 半导体层、以及一对落在该半导体层上方由通路 缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错 结构的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围 绕的视窗区段内形成了连接于共同布线导线上的 梳齿形状画素电极和梳齿形状共同电极以及相对 的画素电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将 汲极电极连接到信号线上、并将源极电极连接到 画素电极上,以便在该画素电极与该共同电极之间 产生相对于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在 于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将第一导体层形成于透明绝缘 基板上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子 区段位置内的扫瞄线端子区段、以及每一个画素 区域内与该扫瞄线共用某一部分的闸极电极之外, 藉由蚀刻法将该第一导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中第一导体 层上方的特定开口区段,并留下至少以半导体层及 闸极绝缘层覆盖住该第一导体层之上表面以及整 个横向表面之外,将该半导体层及该闸极绝缘层去 除掉; 于第三光刻步骤中,将第二导体层叠层于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端子区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、连接到形成于共同布线 导线之端点区段上方之开口区段上的共同布线连 结导线、连接到该共同布线连结导线上的共同布 线导线端子区段,以及每一个画素区域内从该信号 线延伸到闸极电极区段上的画素电极、其基底区 段会透过凿穿该半导体层及该闸极绝缘层之开口 区段连接到该共同布线导线上的许多共同电极、 延伸以便由各共同电极加以箝夹的画素电极、以 及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电 极相对之薄膜电晶体区段上的源极电极之外,藉由 蚀刻法将该第二导体层去除掉,然后藉由蚀刻法将 其中露出的n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极以及连接电极区段和信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少用 以形成该薄膜电晶体区段之半导体层的保护性绝 缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层 及该半导体层,以曝露出于该第一导体层上方透过 凿穿该半导体层及该闸极绝缘层之开口区段与该 第二导体层叠层在一起的扫瞄线端子。63.一种用 于制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板 系形成于含有由许多扫瞄线将与许多共同布线导 线交替出现之阵列配置的透明绝缘基板上,且含有 扫瞄线和信号线的画素区域都是为相互以直角交 叉之扫瞄线和信号线所围绕,其配置方式是形成有 包括闸极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸 极电极相对的半导体层、以及一对落在该半导体 层上方由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极 而呈倒置交错结构的薄膜电晶体,以致于为扫瞄线 和信号线所围绕的视窗区段内形成了连接于共同 布线导线上的梳齿形状画素电极和梳齿形状共同 电极以及相对的画素电极,以致将闸极电极连接到 扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线上、并将源 极电极连接到画素电极上,以便在该画素电极与该 共同电极之间产生相对于该透明绝缘基板的水平 电场,其特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将第一导体层形成于透明绝缘 基板上,除了至少该扫瞄线、共同布线导线、以及 每一个画素区域内与该扫瞄线共用某一部分的闸 极电极之外,藉由蚀刻法将该第一导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中第一导体 层上方的特定开口区段,并留下至少以半导体层及 闸极绝缘层覆盖住该第一导体层之上表面以及整 个横向表面之外,将该半导体层及该闸极绝缘层去 除掉; 于第三光刻步骤中,将第二导体层叠层于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端子区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、藉由进一步从连接电极 区段延伸出来而形成的扫瞄线端子区段、透过形 成于该共同布线导线之端点区段上方之开口区段 连接到该共同布线导线之端点区段上以便与该共 同布线导线之端点区段形成电气连接的共同布线 连结导线、连接到该共同布线连结导线上的共同 布线导线端子区段,以及每一个画素区域内从该信 号线延伸到形成于该扫瞄线上之薄膜电晶体区段 上的汲极电极、其基底区段会透过凿穿该半导体 层及该闸极绝缘层之开口区段连接到该共同布线 导线上的许多共同电极、延伸以便由各共同电极 加以箝夹的画素电极、以及从该画素电极延伸到 跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体区 段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该第二导体层 去除掉,然后藉由蚀刻法将其中露出的n+型非晶矽 层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了信号线端子区段、扫瞄线端子区 段、及共同布线导线端子区段上方的保护性绝缘 层,并留下至少用以形成该薄膜电晶体区段之半导 体层的保护性绝缘层之外,藉由蚀刻法接续地去除 该保护性绝缘层及该半导体层,以曝露出该扫瞄线 端子、该信号线端子、和包括该第二导体层的共 同布线导线端子。64.一种用于制造主动矩阵式基 板的方法,该主动矩阵式基板系形成于含有由许多 扫瞄线将与许多共同布线导线交替出现之阵列配 置的透明绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号线的画 素区域都是为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线 所围绕,其配置方式是形成有包括闸极电极、呈岛 状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体 层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙分 隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构的 薄膜电晶体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕的视 窗区段内形成了连接于共同布线导线上的梳齿形 状画素电极和梳齿形状共同电极以及相对的画素 电极,以致将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电 极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素电 极上,以便在该画素电极与该共同电极之间产生相 对于该透明绝缘基板的水平电场,其特征在于,该 方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将第一导体层形成于透明绝缘 基板上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子 区段位置内的扫瞄线端子区段、共同布线导线、 以及每一个画素区域内与该扫瞄线共用某一部分 的闸极电极、许多从该共同布线导线延伸出来的 共同电极之外,藉由蚀刻法将该第一导体层去除掉 ; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中第一导体 层上方的特定开口区段,并留下至少以半导体层及 闸极绝缘层覆盖住该第一导体层之上表面以及整 个横向表面之外,将该半导体层及该闸极绝缘层去 除掉; 于第三光刻步骤中,将第二导体层叠层于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、透过形成于该共同布线 导线之端点区段上方之开口区段连接到该共同布 线导线之端点区段上以便与该共同布线导线之端 点区段形成电气连接的共同布线连结导线、连接 到该共同布线连结导线上的共同布线导线端子区 段,以及每一个画素区域内从该信号线延伸到闸极 电极区段上的画素电极、与共同电极呈相对延伸 的画素电极、以及从该画素电极延伸到跨越通路 缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体区段上的源 极电极之外,藉由蚀刻法将该第二导体层去除掉, 然后再藉由蚀刻法将其中露出的n+型非晶矽层去 除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了连接电极区段、信号线端子区段 、及共同布线导线端子区段上方的保护性绝缘层, 并留下至少用以形成该薄膜电晶体区段之半导体 层的保护性绝缘层之外,藉由蚀刻法去除该保护性 绝缘层及该半导体层,以曝露出于该第一导体层上 方透过凿穿该半导体层及该闸极绝缘层之开口区 段与该第二导体层叠层在一起的扫瞄线端子,以及 该信号线端子和包括该第二导体层的共同布线导 线端子。65.一种用于制造主动矩阵式基板的方法, 该主动矩阵式基板系形成于含有由许多扫瞄线将 与许多共同布线导线交替出现之阵列配置的透明 绝缘基板上,且含有扫瞄线和信号线的画素区域都 是为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,其 配置方式是形成有包括闸极电极、呈岛状而跨越 闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、以及 一对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开的汲 极电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜电晶 体,以致于为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内 形成了连接于共同布线导线上的梳齿形状画素电 极和梳齿形状共同电极以及相对的画素电极,以致 将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到 信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,以便 在该画素电极与该共同电极之间产生相对于该透 明绝缘基板的水平电场,其特征在于,该方法包括 下列步骤: 于第一光刻步骤中,将第一导体层形成于透明绝缘 基板上,除了该扫瞄线、共同布线导线、与该扫瞄 线共用某一部分的闸极电极、许多从该共同布线 导线延伸出来的共同电极之外,藉由蚀刻法将该第 一导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层以及包括 非晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层叠层于透明 绝缘基板上,除了形成于第一光刻步骤中第一导体 层上方的特定开口区段,并留下至少以半导体层及 闸极绝缘层覆盖住该第一导体层之上表面以及整 个横向表面之外,将该半导体层及该闸极绝缘层去 除掉; 于第三光刻步骤中,将第二导体层叠层于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、藉由进一步从连接电极 区段延伸出来而形成的扫瞄线端子区段、透过形 成于该共同布线导线之端点区段上方之开口区段 连接到该共同布线导线之端点区段上以便与该共 同布线导线之端点区段形成电气连接的共同布线 连结导线、连接到该共同布线连结导线上的共同 布线导线端子区段,以及从该信号线延伸到闸极电 极区段上的画素电极、延伸以便由各共同电极加 以箝夹的画素电极、以及从该画素电极延伸到跨 越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体区段 上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该第二导体层去 除掉,然后再藉由蚀刻法将其中露出的n+型非晶矽 层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且在藉由蚀刻法去除了该连接电极区段 、信号线端子区段、及共同布线导线端子区段上 方的保护性绝缘层之后,并留下至少用以形成该薄 膜电晶体区段之半导体层的保护性绝缘层之外,藉 由蚀刻法去除该保护性绝缘层及该半导体层,以曝 露出该扫瞄线端子、该信号线端子及包括该第二 导体层的共同布线导线端子。66.一种用于制造主 动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系形成于 含有画素区域构成之阵列的透明绝缘基板上,其中 每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线且系为相 互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且于每一 个画素区域内都形成有包括闸极电极、呈岛状而 跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导体层、 以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙分隔开 的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结构的薄膜 电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线和信号线 所围绕的视窗区段内以便让光透射出去,且将闸极 电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到信号线 上、并将源极电极连接到画素电极上,其特征在于 ,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子区段 位置内的扫瞄线端子区段、以及每一个画素区域 内从该扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该 扫瞄线共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法 将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层以及金属层叠 层于透明绝缘基板上,藉由蚀刻法至少将第一光刻 步骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、 金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处之 闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、以及每一个画素区域内 从该信号线延伸到闸极电极区段上的汲极电极、 画素电极、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝 隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体区段上的源极 电极之外,藉由蚀刻法将该透明导电层去除掉,然 后再藉由蚀刻法将其中露出的金属层及n+型非晶 矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、连接电极区段、及信 号线端子区段上方的保护性绝缘层之外,并留下至 少以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以 及整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之 外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半 导体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、 藉由叠层金属层及该透明导电层或是由该透明导 电层本身构成的信号线端子于导体层上方透过凿 穿该半导体层及该闸极绝缘层之开口区段与该透 明导电层叠层在一起的扫瞄线端子。67.一种用于 制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系 形成于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘基 板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线 且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕, 且于每一个画素区域内都形成有包括闸极电极、 呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半 导体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝 隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结 构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线 和信号线所围绕的视窗区段内以便让光透射出去, 且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接 到信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其 特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线以及每一个画素区域内从该 扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄线 共用某一部分的闸极电极,藉由蚀刻法将该导体层 去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层以及金属层叠 层于透明绝缘基板上,藉由蚀刻法至少将第一光刻 步骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、 金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处之 闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、藉由进一步从连接电极 区段延伸出来而形成的扫瞄线端子区段,以及每一 个画素区域内从该信号线延伸到闸极电极区段上 的汲极电极、画素电极、以及从该画素电极延伸 到跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体 区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该透明导电 层去除掉,然后再藉由蚀刻法将其中露出的金属层 及n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、扫瞄线端子区段、及 信号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少 以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以及 整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外, 藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导 体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、扫 瞄线端子、藉由叠层金属层及该透明导电层或是 包括该透明导电层本身的信号线端子。68.一种用 于制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板 系形成于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘 基板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号 线且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围 绕,且于每一个画素区域内都形成有包括闸极电极 、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的 半导体层、以及一对落在该半导体层上方由通路 缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错 结构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄 线和信号线所围绕的视窗区段内以便让光透射出 去,且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连 接到信号线上、并将源极电极连接到画素电极上, 其特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子区段 位置内的扫瞄线端子区段、以及每一个画素区域 内从该扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该 扫瞄线共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法 将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层以及金属层叠 层于透明绝缘基板上,藉由蚀刻法至少将第一光刻 步骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、 金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处之 闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了连接到下层信号线上并透过凿穿该 半导体层及该闸极绝缘层之开口区段而跨越该扫 瞄线与相邻画素区域相对的上层信号线、形成于 该信号线端子区段位置内的信号线端子区段、透 过形成于该扫瞄线端点区段上方之开口区段连接 到扫瞄线端点区段上的连接电极区段,以及每一个 画素区域内从该上层信号线延伸到闸极电极区段 上的汲极电极、画素电极、以及从该画素电极延 伸到跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶 体区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该透明导 电层去除掉,然后再藉由蚀刻法将其中露出的金属 层及n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、连接电极区段、及信 号线端子区段上方的保护性绝缘层之外,并留下至 少以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以 及整个横向表面而形成薄膜电晶体之上表面以及 整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外, 藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导 体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、藉 由叠层金属层及该透明导电层或是由该透明导电 层本身构成的信号线端子、于导体层上方透过凿 穿该半导体层及该闸极绝缘层之开口区段与该透 明导电层叠层在一起的扫瞄线端子。69.一种用于 制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系 形成于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘基 板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线 且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕, 且于每一个画素区域内都形成有包括闸极电极、 呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半 导体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝 隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置交错结 构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线 和信号线所围绕的视窗区段内以便让光透射出去, 且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接 到信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其 特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线以及每一个画素区域内从该 扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该扫瞄线 共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法将该导 体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层和n+型非晶矽层的半导体层以及金属层叠 层于透明绝缘基板上,藉由蚀刻法至少将第一光刻 步骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、 金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处之 闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了连接到下层信号线上并透过凿穿该 半导体层及该闸极绝缘层之开口区段而跨越该扫 瞄线与相邻画素区域相对的上层信号线、形成于 该信号线端子区段位置内的信号线端子区段、藉 由进一步从连接电极区段延伸出来而形成的扫瞄 线端子区段,以及每一个画素区域内从该上层信号 线延伸到闸极电极区段上的汲极电极、画素电极 、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲 极电极相对之薄膜电晶体区段上的源极电极之外, 藉由蚀刻法将该透明导电层去除掉,然后再藉由蚀 刻法将其中露出的金属层及n+型非晶矽层去除掉; 且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、扫瞄线端子区段、及 信号线端子区段上方的保护性绝缘层之外,并留下 至少以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面 以及整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层 之外,藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该 半导体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极 、扫瞄线端子、藉由叠层金属层及该透明导电层 或是由该透明导电层本身构成的信号线端子。70. 一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵 式基板系形成于含有由画素区域构成之阵列的透 明绝缘基板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线 和信号线且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号 线所围绕,且于每一个画素区域内都形成有包括闸 极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极 相对的半导体层以及一对落在该半导体层上方由 通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒置 交错结构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为 扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内以便让光透 射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电 极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素电 极上,其特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子区段 位置内的扫瞄线端子区段、以及每一个画素区域 内从该扫瞄线延伸到薄膜电晶体区段上或是与该 扫瞄线共用某一部分的闸极电极之外,藉由蚀刻法 将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层的半导体层叠层于透明绝缘基板上,并藉由 搀杂V族元素于该半导体层上形成n+型非晶矽层,然 后再淀积一金属层,藉由蚀刻法至少将第一光刻步 骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、部 分金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处 之闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段,以及每一个画素区域内从 该信号线延伸到闸极电极区段上的汲极电极、画 素电极、以及从该画素电极延伸到跨越通路缝隙 与该汲极电极相对之薄膜电晶体区段上的源极电 极之外,藉由蚀刻法将该透明导电层去除掉,然后 再藉由蚀刻法将其中露出藉由搀杂V族元素于该半 导体层上形成的n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、连接电极区段、及信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少以 该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以及整 个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外,藉 由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导体 层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、藉由 叠层金属层及该透明导电层或是由该透明导电层 本身构成的信号线端子、于导体层上方透过凿穿 该半导体层及该闸极绝缘层之开口区段与该透明 导电层叠层在一起的扫瞄线端子。71.一种用于制 造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系形 成于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘基板 上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线且 系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且 于每一个画素区域内都形成有包括闸极电极、呈 岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导 体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙 分隔开的汲极电极和派极电极而呈倒置交错结构 的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线和 信号线所围绕的视窗区段内以便让光透射出去,且 将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到 信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其特 征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子区段 位置内的扫瞄线端区段、在各相邻扫瞄线之间依 非接触方式形成下层信号线以形成一部分信号、 以及每一个画素区域内从该扫瞄线延伸到薄膜电 晶体区段上或是与该扫瞄线共用某一部分的闸极 电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层的半导体层叠层于透明绝缘基板上,并藉由 搀杂V族元素于该半导体层上形成n+型非晶矽层,然 后再淀积一金属层,藉由蚀刻法至少将第一光刻步 骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、部 分金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处 之闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了该信号线、形成于该信号线端子区 段位置内的信号线端子区段、透过形成于该扫瞄 线端点区段上方之开口区段连接到该扫瞄线端点 区段上的连接电极区段、藉由进一步从连接电极 区段延伸出来而形成的扫瞄线端子区段,以及每一 个画素区域内从该信号线延伸到闸极电极区段上 的汲极电极、画素电极、以及从该画素电极延伸 到跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电晶体 区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该透明导电 层去除掉,然后再藉由蚀刻法将其中露出藉由搀杂 V族元素于该半导体层上形成的n+型非晶矽层去除 掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、扫瞄线端子区段、及 信号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少 以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以及 整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外, 藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导 体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、扫 瞄线端子、以及藉由叠层金属层及该透明导电层 或是由该透明导电层本身构成的信号线端子。72. 一种用于制造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵 式基板系形成于含有由画素区域构成之阵列的透 明绝缘基板上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线 和信号线且系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号 线所围绕,且于每一个画素区域内都形成有包括闸 极电极、呈岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极 相对的半导体层、以及一对落在该半导体层上方 由通路缝隙分隔开的汲极电极和源极电极而呈倒 置交错结构的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于 为扫瞄线和信号线所围绕的视窗区段内以便让光 透射出去,且将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极 电极连接到信号线上、并将源极电极连接到画素 电极上,其特征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、形成于该扫瞄线端子区段 位置内的扫瞄线端子区段、在各相邻扫瞄线之间 依非接触方式形成下层信号线以形成一部分信号 线,以及每一个画素区域内从该信号线延伸到薄膜 电晶体区段上或是与该扫瞄线共用某一部分的闸 极电极之外,藉由蚀刻法将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层的半导体层叠层于透明绝缘基板上,并藉由 搀杂V族元素于该半导体层上形成n+型非晶矽层,然 后再淀积一金属层,藉由蚀刻法至少将第一光刻步 骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、部 分金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处 之闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了连接到下层信号线上并透过凿穿该 半导体层及该闸极绝缘层之开口区段而跨越该扫 瞄线与相邻画素区域相对的上层信号线、形成于 该信号线端子区段位置内的信号线端子区段、透 过形成于该扫瞄线端点区段上方之开口区段连接 到该扫瞄线端点区段上的连接电极区段,以及每一 个画素区域内从该上层信号线延伸到闸极电极区 段上的汲极电极、画素电极、以及从该画素电极 延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极相对之薄膜电 晶体区段上的源极电极之外,藉由蚀刻法将该透明 导电层去除掉,然后再利用蚀刻法将其中露出藉由 搀杂V族元素于该半导体层上形成的n+型非晶矽层 去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、连接电极区段、及信 号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少以 该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以及整 个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外,藉 由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导体 层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、藉由 叠层金属层及该透明导电层或是由该透明导电层 本身构成的信号线端子、于导体层上方透过凿穿 该半导体层及该闸极绝缘层之开口区段与该透明 导电层叠层在一起的扫瞄线端子。73.一种用于制 造主动矩阵式基板的方法,该主动矩阵式基板系形 成于含有由画素区域构成之阵列的透明绝缘基板 上,其中每一个画素区域都含有扫瞄线和信号线且 系为相互以直角交叉之扫瞄线和信号线所围绕,且 于每一个画素区域内都形成有包括闸极电极、呈 岛状而跨越闸极绝缘层与该闸极电极相对的半导 体层、以及一对落在该半导体层上方由通路缝隙 分隔开的汲极电极和源极电极,而呈倒置交错结构 的薄膜电晶体,以致将画素电极形成于为扫瞄线和 信号线所围绕的视窗区段内以便让先透射出去,且 将闸极电极连接到扫瞄线上、将汲极电极连接到 信号线上、并将源极电极连接到画素电极上,其特 征在于,该方法包括下列步骤: 于第一光刻步骤中,将导体层形成于透明绝缘基板 上,除了至少该扫瞄线、在各相邻扫瞄线之间依非 接触方式形成下层信号线以形成一部分信号线、 以及每一画素区域内从该扫瞄线延伸到薄膜电晶 体区段上或是与该扫瞄线共用某一部分的闸极电 极之外,藉由蚀刻法将该导体层去除掉; 于第二光刻步骤中,接续地将闸极绝缘层、包括非 晶矽层的半导体层叠层于透明绝缘基板上,并藉由 搀杂V族元素于该半导体层上形成n+型非晶矽层,然 后再淀积一金属层,藉由蚀刻法至少将第一光刻步 骤中所形成导体层图形上方的特定开口区段、部 分金属层、该半导体层及将要形成该画素电极处 之闸极绝缘层去除掉; 于第三光刻步骤中,将透明导电层形成于透明绝缘 基板上,且除了连接到下层信号线上并透过凿穿该 半导体层及该闸极绝缘层之开口区段而跨越该扫 瞄线与相邻画素区域相对的上层信号线、形成于 该信号线端子区段位置内的信号线端子区段、透 过形成于该扫瞄线端点区段上方之开口区段连接 到该扫瞄线端点区段上的连接电极区段,藉由进一 步从连接电极区段延伸出来而形成的扫瞄线端子 区段,以及每一个画素区域内从该上层信号线延伸 到闸极电极区段上的汲极电极、画素电极、以及 从该画素电极延伸到跨越通路缝隙与该汲极电极 相对之薄膜电晶体区段上的源极电极之外,藉由蚀 刻法将该透明导电层去除掉,然后再利用蚀刻法将 其中露出藉由搀杂V族元素于该半导体层上形成的 n+型非晶矽层去除掉;且 于第四光刻步骤中,将保护性绝缘层形成于透明绝 缘基板上,且除了画素电极、扫瞄线端子区段、及 信号线端子区段上方的保护性绝缘层,并留下至少 以该保护性绝缘层覆盖住该信号线之上表面以及 整个横向表面而形成薄膜电晶体之半导体层之外, 藉由蚀刻法接续地去除该保护性绝缘层及该半导 体层,以曝露出包括该透明导电层的画素电极、扫 瞄线端子以及藉由叠层金属层及该透明导电层或 是由该透明导电层本身构成的信号线端子。74.如 申请专利范围第62至65项中任意一项之用于制造主 动矩阵式基板的方法,其中于该第三光刻步骤中该 第二导体层系藉由叠层高熔点金属以及铝或基本 上属铝制合金而形成的。75.如申请专利范围第62 至65项中任意一项之用于制造主动矩阵式基板的 方法,其中于该第三光刻步骤中该第二导体层系藉 由叠层不少于两层之导体层以及上层金属氮化物 层或是透明导电层而形的。76.如申请专利范围第 75项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其中该金 属氮化物层是由钛、钽、铌、铬的氮化物膜或者 基本上至少含有迟自钛、钽、铌、铬之一种金属 的合金氮化物膜构成的。77.如申请专利范围第76 项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其中该金属 氮化物层系藉由反应式喷溅法而形成的以便产生 不少于25原子%的氮原子浓度。78.如申请专利范围 第18项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其中于 显示表面外侧上依矩阵方式配置有各画素区域处 形成闸极分路排流线以连接个别的扫瞄线,并于显 示表面外侧上形成汲极分路排流线以连接个别的 信号线,而至少在某一点上使该闸极分路排流线与 该汲极分路排流线连接,且当制造该主动矩阵式基 板时:于第一光刻步骤中,除了用于连接个别扫瞄 线的该闸极分路排流线之外,藉由蚀刻法将该导体 层去除掉; 于第三光刻步骤中,留下至少在某一点上与该闸极 分路排流线重叠而用于连接个别信号线的该汲极 分路排流线,而藉由蚀刻法去除金属层及透明导电 层;且 第四光刻步骤中,藉由蚀刻法去除该闸极分路排流 线与该汲极分路排流线叠合位置上方的保护性绝 缘层及金属层,且以雷射光束照射该叠合位置以熔 融并藉由凿穿该闸极绝缘层使该闸极分路排流线 与该汲极分路排流线产生短路。79.如申请专利范 围第19项之用于制造主动矩阵式基板的方法,其中 于显示表面外侧上依矩阵方式配置有各画素区域 处形成闸极分路排流线以连接个别的扫瞄线,并于 显示表面外侧上形成汲极分路排流线以连接个别 的信号线,而至少在某一点上使该闸极分路排流线 与该汲极分路排流线连接,且当制造该主动矩阵式 基板时: 于第一光刻步骤中,除了用于连接个别扫瞄线的该 闸极分路排流线之外,藉由蚀刻法将该导体层去除 掉; 于第三光刻步骤中,留下至少在某一点上与该闸极 分路排流线重叠而用于连接个别信号线的该汲极 分路排流线,而藉由蚀刻法去除第二导体层;且 于第四光刻步骤中,藉由蚀刻法去除该闸极分路排 流线与该汲极分路排流线叠合位置上方的保护性 绝缘层,且以雷射光束照射该叠合位置以熔融并藉 由凿穿该闸极绝缘层使该闸极分路排流线与该汲 极分路排流线产生短路。80.如申请专利范围第20 至25项中任意一项之用于制造主动矩阵式基板的 方法,其中于显示表面外侧上依矩阵方式配置有各 画素区域处形成闸极分路排流线以连接个别的扫 瞄线,并于显示表面外侧上形成汲极分路排流线以 连接个别的信号线,而至少在某一点上使该闸极分 路排流线与该汲极分路排流线连接,且当制造该主 动矩阵式基板时: 于第一光刻步骤中,除了用于连接个别扫瞄线的该 闸极分路排流线之外,藉由蚀刻法将该导体层去除 掉; 于第二光刻步骤中,藉由蚀刻法去除该闸极分路排 流线上方的金属层及透明导电层; 于第三光刻步骤中,留下至少在某一点上与该闸极 分路排流线重叠而用于连接个别信号线的该汲极 分路排流线并去除透明导电层,且接下来藉由蚀刻 法去除其中露出的金属层及n+型非晶矽层;且 于第四光刻步骤中,藉由蚀刻法去除该闸极分路排 流线与该汲极分路排流线叠合位置上方的保护性 绝缘层,且以雷射光束照射该叠合位置以熔融并藉 由凿穿该闸极绝缘层使该闸极分路排流线与该汲 极分路排流线产生短路。 |
