| 主权项 |
1.一种用于生产SIMOX基材的方法,该SIMOX基材具有包 埋氧化物层以及利用将氧离子植入矽单晶基材,然 后在高温下对该基材进行热处理而在其中形成表 面单晶矽层,该方法的特征是在藉由将部分分压不 大于1%之氧气加入惰性气体内而得之气氛中,在不 低于1150℃,同时低于单晶矽的熔点之温度下进行 前段热处理,然后藉由将氧气的部份分压增加至该 氧化物层中不会发生内部氧化反应的范围,以至少 进行部份之后段热处理。2.依据申请专利范围第1 项的方法,其中该热处理之后段的温度是不低于 1150℃,同时低于单晶矽之熔点。3.依据申请专利范 围第1项的方法,其中该热处理之前段与后段的温 度分别不小于1300℃,而且低于单晶矽之熔点。4.依 据申请专利范围第1项的方法,其中该热处理后段 至少有一部份是将部分分压不大于1-10%之氧气加 入惰性气体内而得之气氛中进行。5.依据申请专 利范围第1项的方法,其中该热处理之前段与后段 的个别温度是不小于1350℃,而且低于单晶矽之熔 点,同时该热处理后段至少有一部份是在将部分分 压不大于1-10%之氧气加入惰性气体内而得之气氛 中进行。6.一种用于生产SIMOX基材的方法,该SIMOX基 材具有包埋的氧化物层以及利用将氧离子植入其 中,然后在高温下对该基材进行热处理而形成表面 单晶矽层,该方法的特征是在藉由将部分分压不大 于1%之氧气加入惰性气体内而得之气氛中,在不低 于1150℃,同时低于单晶矽的熔点之温度下进行前 段热处理,然后在不高于1300℃的温度下至少进行 部份之后段热处理,以诱发该包埋氧化物层中之内 部氧化作用。7.依据申请专利范围第6项的方法,其 中该热处理前期的温度是不低于1300℃,而且低于 单晶矽之熔点。8.依据申请专利范围第6项的方法, 其中用于内部氧化作用之该热处理的温度是在1150 - 1280℃的范围之中。9.依据申请专利范围第6项的 方法,其中用于内部氧化作用之该热处理的温度是 在1150- 1250℃的范围之中。10.依据申请专利范围 第6项的方法,其中用于内部氧化作用之该处理中 氧气的部份分压不小于50%。11.依据申请专利范围 第6项的方法,其中用于内部氧化作用之该热处理 前段的温度不低于1300℃,用于内部氧化作用之该 热处理后段的温度是在1150- 1280℃的范围之中,而 且氧气的部份分压不小于50%。12.一种用于生产 SIMOX基材的方法,该SIMOX基材具有包埋的氧化物层 以及利用将氧离子植入其中,然后在高温下对该基 材进行热处理而形成表面单晶矽层,该方法的特征 是在藉由将部分分压不大于1%之氧气加入惰性气 体内而得之气氛中,在不低于1150℃,同时低于单晶 矽的熔点之温度下进行前段热处理,然后藉由将氧 气的部份分压增加至该包埋氧化层中不会诱发内 部氧化的范围进行热处理,之后,在藉由增加氧气 的部份分压以及进行热处理而在包埋氧化物层中 诱发产生内部氧化作用期间,所使用的温度不高于 1300℃。13.依据申请专利范围第12项的方法,其中该 热处理之前段及其后的热处理之个别温度是不小 于1300℃,而且低于单晶矽之熔点。14.依据申请专 利范围第12项的方法,其中用于内部氧化作用之该 处理的温度是在1150- 1280℃的范围之中。15.依据 申请专利范围第12项的方法,其中用于内部氧化作 用之该处理的温度是在1150- 1250℃的范围之中。16 .依据申请专利范围第12项的方法,其中该用于内部 氧化作用之该处理中氧气的部份分压不小于50%。 17.依据申请专利范围第12项的方法,其中该热处理 之前段及其后的热处理之个别温度是不小于1300℃ ,而且低于单晶矽之熔点,用于内部氧化作用之后 段处理的温度是在1150- 1280℃的范围之中,同时氧 气的部份分压不小于50%。18.依据申请专利范围第 12项的方法,其中该热处理之前期与随后的热处理 之个别温度是不小于1300℃,而且低于单晶矽之熔 点,用于内部氧化作用之后续处理的温度是在1150- 1250℃的范围之中,同时氧气的部份分压不小于50% 。19.一种SIMOX基材,其含有厚度在10-120奈米之间的 表面单晶矽层与厚度在80-200奈米之间的包埋氧化 物层,而且特征是该基材表面的不规则性之振幅不 大于8奈米。图式简单说明: 第1A、1B和1C图示意说明用于SIMOX基材制备之本发 明的方法中,SIMOX基材截面结构改变的的情况, 第2A、2B和2C图示意说明用于SIMOX基材制备之传统 ITOX技术的方法中,SIMOX基材截面结构改变的的情况 , 第3图是在一个使用1350℃ITOX温度之样品中SOI层的 表面轮廓图, 第4图是在一个使用1250℃ITOX温度之样品中SOI层的 表面轮廓图,和 第5图是本发明第二种实施例之工作样品测试评级 的结果。 |
