| 主权项 |
1.一种玻璃基板的加工方法,系在玻璃基板的雷射 加工方法上,控制玻璃基板内部的气泡量,以提升 玻璃基板加工性为特征的玻璃基板加工法。2.一 种玻璃基板的加工方法,系在玻璃基板的雷射加工 方法上,控制玻璃基板内部的气泡量,以提升玻璃 基板加工性的玻璃基板的加工法,使玻璃表面形成 薄绝缘体为特征的玻璃基板加工法。3.如申请专 利范围第2项所述之玻璃基板的加工方法,其中,该 玻璃表面形成薄绝缘物与涂布形成之玻璃的玻璃 基板加工方法。4.如申请专利范围第2项所述之玻 璃基板的加工方法,其中该玻璃表面形成薄绝缘物 与有机绝缘膜之玻璃基板加工方法。5.如申请专 利范围第4项所述之玻璃基板的加工方法,其中该 玻璃表面形成薄绝缘物与涂布形成之玻璃基板加 工方法。6.如申请专利范围第4项所述之玻璃基板 的加工方法,其中该玻璃表面形成薄绝缘物有薄膜 形式,使用强化玻璃形成之玻璃基板的加工方法。 7.一种玻璃基板的加工方法,系在玻璃基板的雷射 加工方法上,控制玻璃基板内部的气泡量,玻璃基 板内部有空孔的玻璃基板加工方法。8.一种玻璃 基板的加工方法,控制玻璃基板内部的气泡量、玻 璃基板雷射加工后与玻璃内部的气泡之缘故,使加 工面的表面积加大之状态,实施简易的无电解式电 镀形成金属膜,金属膜部分的散热特性提升的玻璃 基板加工方法。9.如申请专利范围第1-8项其中任 何一项所述之玻璃基板的加工方法,实施雷射加工 ,使用二氧化碳雷射加工在玻璃基板加工方法。10. 一种玻璃基板的加工方法,在玻璃基板之加工方法 与加工手段,使用可变脉冲式二氧化碳雷射,而第 一工程实施一次雷射加工,第二工程实施多次雷射 加工的玻璃基板加工方法。11.如申请专利范围第 10项所述之玻璃基板的加工方法,在第二工程实施 雷射加工的脉冲大于第一工程加工的脉冲。12.如 申请专利范围第1-8项其中任何一项所述之玻璃基 板的加工方法,实施雷射加工,使用二氧化碳雷射 加工的高频线路制作方法。13.如申请专利范围第1 -8项其中任何一项所述之玻璃基板的加工方法,实 施雷射加工,使用二氧化碳雷射加工之使用高频线 路的无线终端设备。14.如申请专利范围第1-8项其 中任何一项所述之玻璃基板的加工方法,实施雷射 加工,使用二氧化碳雷射加工之使用高频线路的无 线机房设备。15.如申请专利范围第1-8项其中任何 一项所述之玻璃基板的加工方法,实施雷射加工, 使用二氧化碳雷射加工之使用高频线路的数据设 备。图式简单说明: 第一图系现行的玻璃基板使用时,所发生课题的概 念图。 第二图系现行的玻璃基板实施雷射加工,所发生课 题的概念图。 第三A、B图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的 示意图。 第四A、B图系玻璃基板实施雷射加工形态之说明 图。 第五图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的示意 图。 第六图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的示意 图。 第七图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的示意 图。 第八图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的示意 图。 第九A、B图系本发明的其中一项,加工玻璃基板的 示意图。 |
