| 主权项 |
1.一种蚀刻在一反应室中之基材的方法,其中该反 应室具有一内表面,该方法至少包含: (a)将至少一第一蚀刻剂导入该反应室中;及 (b)在该反应室中击发一电浆以造成第一蚀刻剂的 解离,其中该第一蚀刻剂被加以选择用以让该内表 面上的物质之沉积降至最少及其中在该物质上之 该被解离的蚀刻剂的第一再结合率不同于在该内 表面上之该被解离的蚀刻剂的第二再结合率。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该物质形 成于该内表面上之沉积率系小于30/分钟。3.如 申请专利范围第1项所述之方法,其进一步包含: (c)在步骤(a)之前清洁该内表面。4.如申请专利范 围第1项所述之方法,其中该第一蚀刻剂包含氯。5. 如申请专利范围第4项所述之方法,其进一步包含: (c)从一包含矽的基材上蚀刻一或多层。6.一种蚀 刻在一反应室中之基材的方法,其中该反应室具有 一内表面,该方法至少包含: (a)将至少一第一蚀刻剂及一第二蚀刻剂流入该反 应室中,其中第一蚀刻剂的一体积流量大于第二蚀 刻剂的体积流量;及 (b)在该反应室中击发一电浆以造成第一蚀刻剂及 第二蚀刻剂的解离,其中被解离的第一蚀刻剂是以 一第一速率沉积物质于该内表面上及该被解离的 第二蚀刻剂是以一小于该第一速率之第二速率沉 积物质于该内表面上。7.如申请专利范围第6项所 述之方法,其中该第一蚀刻剂包含氯。8.如申请专 利范围第6项所述之方法,其中该第二蚀刻剂包含 溴。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第 一蚀刻剂包含氯及该第二蚀刻剂包含溴。10.如申 请专利范围第6项所述之方法,其进一步包含: (c)从该基材上蚀刻一或多层,其中该一或多层包含 矽。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其进一 步包含在步骤(a)之前清洁该内表面。12.如申请专 利范围第6项所述之方法,其进一步包含将氧气流 入该反应室中。13.如申请专利范围第12项所述之 方法,其中该第一蚀刻剂包含氯及该第二蚀刻剂包 含溴。14.一种可蚀刻在一具有一内表面的反应室 中的基材且可将内表面条件对于一蚀刻处理的影 响降至最小的方法,该方法至少包含: (a)根据一主要蚀刻配方(recipe)在一第一压力下蚀 刻在该反应室中的一第一基材;及 (b)根据一过度蚀刻(overetch)配方以一低于30mTorr的 第二压力蚀刻在该反应室中的第一基材。15.如申 请专利范围第14项所述之方法,其中该基材包含一 设置于其上的多晶矽层及该过度蚀刻配方包含将 一含溴流体,一含氯流体或其组合中的一或多者流 入该反应室中。16.如申请专利范围第14项所述之 方法,其中(b)包含将一包含含溴流体及一含氧流体 之化学混合物流入该反应室中,其中该含氧流体占 该化学混合物体积流量的10%或更少。17.如申请专 利范围第14项所述之方法,其中(b)包含将一包含含 氯流体及一含氧流体之化学混合物流入该反应室 中,其中该含氧流体占该化学混合物体积流量的25% 或更少。18.一种蚀刻一基材的方法,其至少包含: (a)将该基材置于一具有一内表面的反应室中; (b)将一化学混合物流入该反应室中; (c)从该化学混合物击发一电浆于该反应室中用以 形成一或多种电浆组成物,及 (d)沉积一薄膜于该内表面上; 其中该一或多种电浆组成物与内表面的一第一再 结合率大致等于该一或多种电浆组成物与该薄膜 的一第二再结合率。19.如申请专利范围第18项所 述的方法,其中该基材包含多晶矽及其中该内表面 包含石英。20.如申请专利范围第19项所述的方法, 其中该内表面包含一被设置于一反应室本体上的 衬里。21.一种蚀刻一基材的方法,其至少包含: (a)将该基材置入一反应室中; (b)将一化学混合物流入该反应室中,该化学混合物 包含: (i)一含溴流体及一含氯流体中的一或多种;及 (ii)一含氟流体; 其中该含溴流体及一含氯流体中的一或多种的体 积流量至少是该化学混合物的50%;及 (c)击发一电浆。22.如申请专利范围第21项所述之 方法,其中该含氟流体包含SF6,NF3及它们的组合中 的一或多种及其中该含氟流体的体积流量少于该 化学混合物的20%。23.如申请专利范围第21项所述 之方法,其中该含氟流体包含CF4与O2及其中该含氟 流体的体积流量少于50%及CF4对O2的体积流量比为4: 1。24.如申请专利范围第2l项所述之方法,其中该含 氟流体包含CF4及CF4的体积流量少于该化学混合物 的50%。25.如申请专利范围第21项所述之方法,其中 该含溴流体包含HBr及该含氯流体包含HC1。26.如申 请专利范围第21项所述之方法,其进一步包含: (c)从该基材上蚀刻一或多层,其中该一或多层包含 矽。27.一种用于蚀刻一基材的设备,其至少包含: (a)一处理反应室,其包括一具有一内表面的反应室 本体; (b)与该处理反应室相连接之一或多种蚀刻剂的一 或多个来源;及 (c)至少一线圈,其被设置在与该处理反应室相邻处 用以击发一电浆于该处理反应室中以解离该一或 多种蚀刻剂,其中该被解离的一或多种蚀刻剂与内 表面的一第一反应率大致等于该被解离的一或多 种蚀刻剂与处理期间被形成于该内表面上之物质 的第二反应率相同。28.如申请专利范围第27项所 述之设备,其中该基材包含多晶矽及该内表面包含 石英。29.如申请专利范围第27项所述之设备,其中 该内表面包含一被设置于该反应室本体上的衬里 。图式简单说明: 第1图为一蚀刻反应室的立体视图。 第2图为一图表,其显示蚀刻剂的沉积率为氧的一 函数。 第3图为一图表,其显示蚀刻率下降及自由基密度 下降为HBr基蚀刻的压力的函数。 第4图为一图表,其显示蚀刻率下降及自由基密度 下降为C12基蚀刻的压力的函数。 第5图为一图表,其显示蚀刻率下降为HBr基蚀刻的 氧气的函数。 第6图为一图表,其显示蚀刻率为HBr基蚀刻的氧气 的函数。 第7图为一图表,其显示蚀刻率下降为C12基蚀刻的 氧气的函数。 第8图为一图表,其显示蚀刻率为C12基蚀刻的氧气 的函数。 第9图为一图表,其显示蚀刻率为C12基蚀刻在不同 的来源电力层级下的氧气的函数。 第10图为一图表,其显示蚀刻率下降为来源电力的 函数。 |
