改善蚀刻率均匀性的技术

摘要

公开用于等离子体处理系统中离子辅助蚀刻处理的改进方法和装置。根据本发明的不同方面,公开了抬升边环,槽形边环和RF耦合边环。本发明有利于改善整个衬底(晶片)的蚀刻率均匀性。由本发明提供的蚀刻率均匀性的改善不仅提高了制造产额,而且成本效率高,并且不要冒粒子和/或重金属沾污的风险。

主权项

1.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，该衬底有顶表面，底表面和边，所说等离子体处理室包括：射频(RF)驱动夹盘，所说的RF驱动夹盘支撑至少一部分衬底的底表面；和内RF耦合边环，它置于所说的RF驱动夹盘的一部分上面并且邻近衬底的一边，其中所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量被耦合到所说的内RF耦合边环。