金属基座半导体

摘要

本发明金属基座半导体,是铝金属制基座成型批覆硬氧处理形成耐高温的绝缘层,供晶片元件接合对应连接基座的导电接线,可适合高温烘烤、提高产品可靠性,基座、晶片元件组装整体具有金属及良好散热特性,晶片元件动作产生热快速散发,确保适宜温度动作。

主权项

1.一种金属基座半导体，其特征在于其包括有：一基座，其具有耐高温、热传导体的板体，其在设定位置设有一槽座及一定位座；一绝缘层，其具有耐高温的电绝源材质、附着于该基座的表面，并形成适当厚度稳固结合；一导电接线，其具有良好导体，该导电接线连接该定位座的周边；一晶片元件，其是套置于该基座的定位座、接触该绝缘层，该晶片元件的导线对应该导电接线相连通；藉由上述结构，该基座、绝缘层一体结合成耐高温构造，该晶片元件固定于该定位座、并接触该绝缘层，其可供特殊高温烘烤处理稳固结合，且使用时可快速散热。