| 主权项 |
1.一种墨槽,用以保持墨在实质由一壁所围绕之墨容纳室中,其供应墨至用以记录资讯之记录头而应用墨在介质上以记录资讯,其中该墨槽包括一固态半导体元件,包含:资讯获取机构,用以获取外侧之环境资讯;资讯储存机构,用以储存与由资讯获取机构所获取之资讯比较之资讯;辨识机构,用以比较由资讯获取机构所获取之资讯和储存在资讯储存机构中相关于获取资讯之资讯,以决定通讯资讯之必要性;和资讯通讯机构,用以显示由资讯获取机构所获取之资讯或通讯该资讯至外侧,如果该辨识机构决定需要通讯资讯时,和其中该固态半导体元件嵌入侧壁以使一部份固态半导体元件从接触壁之侧壁之一侧曝露,和该资讯获取机构曝露在该曝露部份中。2.如申请专利范围第1项之墨槽,其中该固态半导体元件从该壁之两侧曝露。3.如申请专利范围第2项之墨槽,其中该壁为形成该墨槽之轮廓之一外壁且在曝露至外侧之固态半导体元件之部份中具有一电接点。4.如申请专利范围第2项之墨槽,其中该壁为形成该墨槽之轮廓之一外壁,且该资讯通讯机构设置在曝露至外侧之固态半导体元件之部份中。5.如申请专利范围第4项之墨槽,其中该固态半导体元件设置以使该资讯获取机构可从外侧见到,和该资讯获取机构以可见辨别方法与外侧通讯资讯。6.如申请专利范围第2项之墨槽,其中该壁为分割墨槽内侧为多数墨容纳室之内壁,和该资讯获取机构独立的设置在分别从该内壁之一侧和另一侧曝露之固态半导体元件之部份中。7.如申请专利范围第1项之墨槽,包括第一固态半导体元件具有一部份从该壁之一侧曝露,和第二固态半导体元件具有一部份从该壁之另一侧曝露,其中,该第一固态半导体元件和第二固态半导体元件于其间通讯资讯。8.如申请专利范围第1项之墨槽,其中多数固态半导体元件设置在该壁之多数部份中。9.如申请专利范围第8项之墨槽,其中该多数固态半导体元件藉由不同频率之讯号通讯资讯。10.如申请专利范围第8项之墨槽,其中该多数固态半导体元件通讯指定至每一固态半导体元件之预定讯号和该获取资讯一起。11.如申请专利范围第1项之墨槽,其中该固态半导体元件进一步包含:接收机构,用以接收来自外侧之讯号,其中在该墨容纳室内侧之环境资讯由该资讯获取机构所获取以回应由该接收机构所接收之讯号。12.如申请专利范围第11项之墨槽,其中该壁为形成一轮廓之外壁,和该接收机构设置在从该外壁曝露至外侧之该固态半导体元件之部份中。13.如申请专利范围第1项之墨槽,其中该固态半导体元件进一步包含能量转换机构用以转换来自外侧之能量为不同种类之能量,其中该资讯获取机构,该资讯储存机构,该辨识机构和该资讯通讯机构由以能量转换机构所转换之能量所致动。14.如申请专利范围第13项之墨槽,其中该壁为形成一轮廓之外壁,和该能量转换机构机构设置在从该外壁曝露至外侧之该固态半导体元件之部份中。15.如申请专利范围第13项之墨槽,其中该能量转换机构具有一电导体线圈用以藉由在电导体线圈和一外部振荡电路和一振荡电路间之电磁感应而产生电力。16.一种记录装置,包括如申请专利范围第1至15项之任一项之墨槽。17.如申请专利范围第16项之记录装置,包含供应机构用以供应一电动势至在墨槽中之固态半导体元件当成由该能量转换机构所转换之外部能量。18.如申请专利范围第17项之记录装置,其中该电动势为电磁感应,热,光,或辐射。19.如申请专利范围第16项之记录装置,进一步包含接收机构用以接收与固态半导体元件通讯之讯号。20.一种使多数元件群和设置在形成一群之预定容器中之多数固态半导体元件中之两或多个固态半导体元件通讯之通讯方法,其中该多数固态半导体元件包含:资讯获取机构,用以获取资讯;资讯通讯机构,用以显示或通讯由资讯获取机构所获取之资讯;和能量转换机构,用以转换来自外侧之能量为与从外侧提供之能量不同之能量,以操作资讯获取机构和资讯通讯机构,其中该通讯以和每一群元件不同之通讯条件执行。21.如申请专利范围第20项之通讯方法,其中该固态半导体元件包含:辨识机构,用以根据从资讯获取机构所获取之资讯和事先储存之资料表进行决定;和资讯通讯机构,用以显示或通讯由该辨识机构所决定之资讯,其中该能量转换机构转换从外侧提供之能量为与从外侧提供之能量不同之能量,以操作该资讯获取机构,该辨识机构,和该资讯通讯机构。22.如申请专利范围第20项之通讯方法,其中每一固态半导体元件具有分辨之资讯或一记忆体,和通讯乃藉由辨别该分辨资讯或以记忆体分辨资讯而执行。23.一种用以容纳墨之墨槽,其中该墨槽包括两或多个固态半导体元件,包含:能量转换机构,用以转换从外侧提供之能量为不同种类之能量;接收机构,用以接收来自外侧之讯号;资讯储存机构,用以储存资讯;和资讯通讯机构,用以显示资讯储存机构之资讯或通讯该资讯以回应由该接收机构所接收之讯号,其中该接收机构,该资讯储存机构,和该资讯通讯机构具有两或多个固态半导体元件,其由以该能量转换机构所转换之能量所致动,和其中该两或多个固态半导体元件具有侦测试固态半导体元件之周遭之环境资讯之功能,以通讯该环境资讯至外侧或藉由互相通而显示该环境资讯。24.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该固态半导体元件包含:资讯获取机构,用以进一步获取外侧之环境资讯;资讯储存机构,用以储存与由资讯获取机构所获取之资讯比较之资讯;和辨识机构,用以比较由该资讯获取机构所获取之资讯和储存在该资讯储存机构中之资讯,以决定通讯资讯之必要性,其中该资讯通讯机构显示或通讯由资讯获取机构所获取之资讯至外侧,如果该辨识机构决定需要通讯资讯时。25.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该固态半导体元件之资讯通讯机构亦显示或通讯资讯至其它固态半导体元件。26.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该固态半导体元件之接收机构亦从其它固态半导体元件接收讯号。27.如申请专利范围第23项之墨槽,其中至少一固态半导体元件具有提供电动势至其它固态半导体元件之功能。28.如申请专利范围第23项之墨槽,其中由固态半导体元件之能量转换机构所转换之外部能量以非接触状态供应。29.如申请专利范围第23项之墨槽,其中由固态半导体元件之能量转换机构所转换之能量为电力。30.如申请专利范围第29项之墨槽,其中该固态半导体元件之资讯通讯机构转换由能量转换机构所转换之电力为电场,光,形状,颜色,电波,或声音,其为显示资讯或通讯资讯至外侧之能量。31.如申请专利范围第29项之墨槽,其中由固态半导体元件之能量转换机构所转换成电力之外部能量为以电磁感应,热,光或辐射之电动势。32.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该固态半导体元件之能量转换机构具有电导体线圈,用以藉由介于该电导体线圈和一外部振荡电路和一振荡电路间之电磁感应而产生电力。33.如申请专利范围第32项之墨槽,其中该固态半导体元件之电导体线圈形成以卷绕该固态半导体元件之外表面。34.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该固态半导体元件进一步包含浮力产生机构,用以使用由能量转换机构所转换之能量产生浮力。35.如申请专利范围第34项之墨槽,其中该固态半导体元件具有一中空部份以使浮在液体位准或在液体中之预定位置中。36.如申请专利范围第35项之墨槽,其中浮在液体中之该固态半导体元件之重心位在低于该元件之中心处,且该固态半导体元件在其浮动之液体中稳定的摇摆而示转动。37.如申请专利范围第36项之墨槽,其中该固态半导体元件之定倾中心始终在高于该固态半导体元件之重心之部份。38.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该两或多个固态半导体元件在某些例中接触在墨槽中之墨,或在其它例中和墨为非接触。39.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该两或多个固态半导体元件具有藉由从外侧接收能量和一讯号,而经由一注入埠而在墨液面上或在墨中移动之功能。40.如申请专利范围第23项之墨槽,其中至少一固态半导体元件具有在墨槽中移动之功能,和其它固态半导体元件固定在容纳负压产生构件以在墨槽中之液体中产生负压之负压室,或固定至该墨槽之底表面。41.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该两或多个固态半导体元件乃在始终执行介于固态半导体元件间之通讯之状态,或依照需要用以执行介于固态半导体元件间之通讯之状态。42.如申请专利范围第23项之墨槽,其中该两或多个固态半导体元件亦可互相结合,藉此该固态半导体元件具有一新功能。43.一种喷墨记录装置,其安装有如申请专利范围第23至42项之任一项之墨槽。44.如申请专利范围第43项之喷墨记录装置,包含供应机构用以供应一电动势至在墨槽中之固态半导体元件当成由该能量转换机构所转换之外部能量。45.如申请专利范围第44项之喷墨记录装置,其中该电动势为电磁感应,热,光,或辐射。46.如申请专利范围第45项之喷墨记录装置,其中当该电动势供应至多数固态半导体元件时,该电动势首先从外侧供应至在两或多个固态半导体元件中之主固态半导体元件,和从主固态半导体元件供应至其它固态半导体元件,或该电动势直接从外侧供应至多数固态半导体元件。47.如申请专利范围第43项之喷墨记录装置,进一步包含:接收机构用以接收来自固态半导体元件之通讯。48.一种通讯系统,其使用一固态半导体元件,包含:一液体容器,其中设置两或多个固态半导体元件;一振荡电路,具有一电导体线圈,资讯获取机构以获取在容器内侧之资讯,接收机构用以接收来自外侧之讯号,和资讯通讯机构用以通讯资讯至外侧,乃形成在该固态半导体元件中;一外部振荡电路,其设置在该固态半导体元件外侧,用以藉由在外部振荡电路和一振荡电路间之电磁感应而产生电力;和外部通讯机构,用以在接收机构和固态半导体元件之资讯通讯机构间双向通讯。49.如申请专利范围第48项之通讯系统,其中在两或多个固态半导体元件中,浮在液体中之该固态半导体元件之重心位在低于该元件之中心处,且该固态半导体元件在其浮动之液体中稳定的摇摆而未转动。50.如申请专利范围第48项之通讯系统,其中浮在该墨槽之液体中之该固态半导体元件之定倾中心始终在高于该固态半导体元件之重心之部份。图式简单说明:图1为日本专利案第6-143607号之墨残余量侦测装置之视图;图2为日本专利案第2947245号之墨残余量侦测装置之视图;图3为使用在本发明之墨槽中之第一实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图4为使用在本发明之墨槽中之第二实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图5为使用在本发明之墨槽中之第三实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图6为图3之固态半导体元件之操作流程图;图7为图5之固态半导体元件之操作流程图;图8为使用在本发明之墨槽中之第四实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图9为使用在本发明之墨槽中之第五实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图10为使用在本发明之墨槽中之第六实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图11为图10之固态半导体元件之操作流程图;图12为使用本发明之例之固态半导体元件之墨槽之视图;图13为图12之墨槽之固态半导体元件部份之扩大视图;图14为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图15为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图16为图15之墨槽之固态半导体元件部份之扩大视图;图17为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图18为图17之墨槽之固态半导体元件部份之扩大视图;图19为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图20为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图21为图20之墨槽之固态半导体元件部份之扩大视图;图22为使用固态半导体元件之另一例之墨槽之视图;图23为本发明之第七实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图24A和24B为浮动在墨槽之墨中且构成如图5所示之元件随墨耗损变化之位置图;图25为检查具有如图5所示之构成之元件之位置,和判断墨槽更换需要之流程图;图26A,26B,和26C为本发明之第八实施例之使用固态半导体元件之方法之概念说明图;图27为藉由适当结合实施例而安排固态半导体元件在墨槽中且喷墨头连接至墨槽之视图;图28为用以循序通讯供应至确定固态半导体元件之电动势和在墨槽中之资讯一起传送至另一固态半导体元件和喷墨头连接至墨槽之构成例之视图;图29为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图30为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图31为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图32为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图33为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图34为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图35为较佳的提供有依照本发明之各种实施例之固态半导体元件之墨槽之例图;图36A,36B,和36C为设置多数固态半导体元件之理由之说明图;图37A和37B为说明侦测墨存在之方法,其可藉由结合多数固态半导体元件而达成,之截面图;图38为侦测墨残余量之方法例之流程图;图39A和39B为侦测环绕墨支持埠之墨状态之例之流程图;图40为安装有图12至22所示之墨槽之喷墨记录装置之例之立体图;图41为本发明之固态半导体元件之一元件之能量产生机构之产生电力原理图;图42为使用在本发明之墨槽中之固态半导体元件之N-MOS电路元件之示意垂直截面图;图43为依照本发明之墨槽中,在固态半导体元件和一记录装置间执行双向通讯之例中,在传送侧上之固态半导体元件之操作流程图;图44为依照本发明之墨槽中,在固态半导体元件和一记录装置间执行双向通讯之例中,在接收侧上之固态半导体元件之操作流程图;图45A,45B,45C,45D,45E,45F,和45G为一序列步骤,用以说明一浮动型固态半导体元件之制造方法例;图46A和46B为固态半导体元件以稳定状态保持在液体中之条件之说明图;图47为依照本发明之实施例之固态半导体元件之内部构造和元件与外侧交换资讯之方块图;图48为使用本发明之固态半导体元件之墨槽之示意图;和图49为代表墨(黄色(Y),紫红色(M),蓝绿色(C)和黑色(B))之吸收波长图。 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