| 主权项 |
1.一种组合物,其包括:一焊剂,其包括含Ag量为2重量%至18重量%且含Bi量为98重量%至82重量%之合金,其中该合金具有不低于262.5℃之固相线温度,及不高于400℃之液相线温度。2.如申请专利范围第1项之组合物,其中该合金中之Ag含量为2重量%至7重量%,及Bi含量为98重量%至93重量%。3.如申请专利范围第1项之组合物,其中该合金中之Ag含量为7重量%至18重量%,及Bi含量为93重量%至82重量%。4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该合金中之Ag含量为5重量%至10重量%,及Bi含量为95重量%至90重量%。5.如申请专利范围第1项之组合物,其中该焊剂具有不低于9W/mk之热传导率。6.如申请专利范围第1项之组合物,其中该焊剂具有沾Ag之沾湿力(wetting force)约0.2mN,该沾湿力为沾湿仪上经1秒钟测得者。7.如申请专利范围第1项之组合物,其尚包括具氧亲和性高于合金之氧亲和性的化学元素。8.如申请专利范围第7项之组合物,其中该化学元素系选自下列各物组成之群:Al、Ba、Ca、Ce、Cs、Hf、Li、Mg、Nd、P、Sc、Sr、Ti、Y、及Zr。9.如申请专利范围第8项之组合物,其中该化学元素的浓度为10ppm至1000ppm。10.如申请专利范围第1项之组合物,其中该合金至少可形成以下之一:线状、带状、预铸形、正极、球状、糊状、及蒸发金属片。11.一种电子装置,其包括半导体晶粒藉由一物质连结于一表面,该物质包括如申请专利范围第1项之组合物。12.如申请专利范围第11项之电子装置,其中该半导体晶粒至少一部分被Ag金属化。13.如申请专利范围第11项之电子装置,其中该表面至少一部分被Ag金属化。14.如申请专利范围第11项之电子装置,其中该表面包括一银金属化之引脚(leadframe)。15.一种制造焊剂组合物之方法,其包括:预备Ag与Bi,其中Ag的含量为Ag与Bi总重的2重量%至18重量%且Bi的含量为98重量%至82重量%;及将Ag与Bi熔解到温度至少960℃以形成合金,该合金具不低于262.5℃的固相线温度及不高于400℃的液相线温度。16.如申请专利范围第15项之方法,其中熔解Ag与Bi之前先结合Ag与Bi。17.如申请专利范围第15项之方法,其尚包括添加具氧亲和性高于合金氧亲和性之化学元素。18.如申请专利范围第15项之方法,其中该Ag之含量为2重量%至7重量%且Bi之含量为98重量%至93重量%。19.如申请专利范围第15项之方法,其中该Ag之含量为7重量%至18重量%且Bi之量为93重量%至82重量%。20.如申请专利范围第15项之方法,其中该Ag之含量为5重量%至10重量%且Bi之含量为95重量%至90重量%。21.一种组合物,其包括:一焊剂,其包括含Ag量为2重量%至18重量%,Bi含量为98重量%至82重量%,及第三种元素含量为0.1重量%至5.0重量%之合金。其中,该第三种元素系选自下列各物组成之群:Au、Cu、Pt、Sb、Zn、In、Sn、Ni及Ge,而其中该合金具不低于230℃之固相线温度及不高于400℃之液相线温度。22.如申请专利范围第21项之组合物,其中该合金具不低于248℃之固相线温度。23.如申请专利范围第21项之组合物,其中该合金具不低于258℃之固相线温度。24.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Au。25.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Cu。26.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Pt。27.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Sb。28.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Zn。29.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是In。30.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Sn。31.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Ni。32.如申请专利范围第21项之组合物,其中该第三种元素是Ge。33.一种电子装置,其包括半导体晶粒藉由一物质连结于一表面,该物质包括如申请专利范围第21项之组合物。图式简单说明:图1为示范之电子装置的图式纵切面。 |
