| 主权项 |
1.一种用于半导体装置及液晶显示装置之制程控 制系统,其系对分成多个批量的被加工处理物(产 品)进行处理,其包含有: 评价装置(14),从前述处理装置所处理之产品的处 理结果中,评价前述处理装置的能力;以及 批量选择装置(15),根据前述处理装置评价装置所 评定的前述处理装置的能力和前述多个批量的特 性,以从前述多个批量中选择要处理的批量。2.如 申请专利范围第1项之用于半导体装置及液晶显示 装置之制程控制系统,其更具备有经历记忆机构(5) 用以记忆有关前述处理装置所处理产品之处理结 果的资讯经历,而该经历含有前述多个批量的特性 。3.如申请专利范围第1项之用于半导体装置及液 晶显示装置之制程控制系统,其中前述制程控制装 置更具备有利用前述处理步骤从前一步骤之前述 经历中掌握前述多个批量之特性的批量特性掌握 装置(13)。4.如申请专利范围第1项之用于半导体装 置及液晶显示装置之制程控制系统,其中前述制程 控制装置具备有基准资讯记忆机构(4),而前述基准 资讯记忆机构,具有前述处理中之批量的控制方法 、用以变更处理条件时的条件、以及其处理是否 能将资料收集于前述经历记忆机构(5)中的资讯。5 .如申请专利范围第4项之用于半导体装置及液晶 显示装置之制程控制系统,其中前述制程控制装置 更具备有处理条件改变装置(16),根据前述装置能 力与前述批量特性间的关系对每个批量来改变前 述处理装置中的处理条件。6.如申请专利范围第4 项之用于半导体装置及液晶显示装置之制程控制 系统,其中前述制程控制装置更具备有产品控制改 变装置,对于将每个产品进行处理的处理装置,根 据构成前述批量产品前述特性与前述装置能力间 的关系,对每个产品改变处理条件。7.如申请专利 范围第4项之用于半导体装置及液晶显示装置之制 程控制系统,其中前述制程控制装置更具备有简易 控制机构,用以根据前述批量特性,进行前述处理 装置中之批量选择及每批量之处理条件的改变之 中之任何一个或二个。8.如申请专利范围第4项之 用于半导体装置及液晶显示装置之制程控制系统, 其中前述制程控制装置更具备有简易产品控制改 变机构,用以对于将每个产品进行处理的处理装置 ,根据前述产品特性来对每个前述产品的处理条件 进行改变。9.如申请专利范围第1项之用于半导体 装置及液晶显示装置之制程控制系统,其中前述制 程控制装置更具备有装置选择机构,用以对于与前 述处理步骤并列配置的多个同类处理装置,根据处 理物件之批量的前述特性和前述并列配置多个处 理装置的前述能力,从前述多个处理装置中选择要 处理该批量的处理装置。10.如申请专利范围第1项 之用于半导体装置及液晶显示装置之制程控制系 统,其中其前述处理装置评价装置更具备有处理装 置预测机构,用以考虑在已用前述处理装置处理过 的批量中,未记忆于前述经历记忆机构中之未记忆 的批量,取入依该未记忆的批量处理而对前述处理 装置的能力所产生的变化,以预测该处理装置的能 力。11.如申请专利范围第1项之用于半导体装置及 液晶显示装置之制程控制系统,其中前述制程控制 装置更具备有能用手动输入处理装置之能力的处 理装置能力输入机构(6)。12.一种用于半导体装置 及液晶显示装置之制程控制系统,其系控制用以进 行被加工处理物(产品)之处理的处理装置,其包含 有: 经历记忆机构(5),用以记忆有关前述处理装置所处 理之产品处理结果的资讯区域(35.36)区分的经历; 处理装置评价机构(14),用以从前述处理步骤之处 理装置所处理的先行产品之前述经历来评价其区 域区分之处理装置的能力;以及 处理条件设定机构(16),根据前述处理装置之前述 区域区分的能力与前述产品之区域区分的经历间 的关系,将该处理装置的处理条件设定成使该处理 中的处理结果接近目标植。13.如申请专利范围第 12项之用于半导体装置及液晶显未装置之制程控 制系统,其中前述处理条件设定装置,更具备有按 区域之不同来设定处理条件的区域区分设定机构 。14.一种用于半导体装置及液晶显示装置之制程 控制系统,其系对分成多个批量的被加工处理物( 产品)进行处理的处理装置,其包含有: 经历记忆机构(5),用以记忆有关前述处理装置所处 理产品处理结果之资讯的区域区分的经历; 处理装置评价机构(14),用以从前述处理步骤之处 理装置所处理的先行产品的前述经历中,评价该处 理装置之区域区分的能力;以及 批量选择装置(15),根据前述处理步骤之前的前述 批量的前述经历与前述处理装置评价机构所评定 的前述区域区分的能力间的关系,从前述多个批量 中来选择要处理的批量。15.如申请专利范围第14 项之用于半导体装置及液晶显示装置之制程控制 系统,其中前述制程控制装置更具备有批量特性掌 握机构,用以根据前述处理步骤之前的处理步骤之 前述经历来掌握前述多个批量的区域区分的经历 。16.如申请专利范围第12项之用于半导体装置及 液晶显示装置之制程控制系统,其中前述产品为半 导体晶片,该半导体晶片系分划成多个区域。17.如 申请专利范围第14项之用于半导体装置及液晶显 示装置之制程控制系统,其中其前述产品为半导体 晶片,该半导体晶片系分划成多个区域。18.如申请 专利范围第14项之用于半导体装置及液晶显示装 置之制程控制系统,其中前述制程控制装置具备有 基准资讯记忆机构,而前述基准资讯记忆机构具有 前述处理中批量的控制方法、改变处理条件时的 条件以及有关该处理是否要收集经历的资讯。19. 如申请专利范围第18项之用于半导体装置及液晶 显示装置之制程控制系统,其中前述制程控制装置 更具备有处理条件改变机构,用以根据前述区域区 分的装置能力与前述批量的区域区分的经历间的 关系来对每个批量改变前述处理装置中的处理条 件。20.如申请专利范围第18项之用于半导体装置 及液晶显示装置之制程控制系统,其中前述制程控 制装置更具备有产品处理改变机构,用以对于以单 位产品来进行处理的处理装置,根据构成前述批量 之产品的区域区分的装置能力与该产品的区域区 分的经历间的关系,而对每个产品改变处理条件。 图式简单说明: 图1为在实施形态1中制程控制装置的结构图。 图2为显示图1中的制程控制装置的大致结构的方 块图。 图3为说明处理流程之概要情况的图。 图4为批量投入的流程图。 图5为显示检移票表资料内容的图。 图6为选择传送目的地的流程图。 图7为批量选择的流程图。 图8为显示控制步骤表的资料内容的图。 图9为显示前馈批量资料收集表的资料内容的图。 图10为显示装置状态表的资料内容的图。 图11为显示FA终端输入表的资料内容的图。 图12为决定处理/检查条件的流程图。 图13为显示晶片组的资料内容的图。 图14为显示控制条件选择表的资料内容的图。 图15为处理/检查开始指示的流程图。 图16为收集品质资料的流程图。 图17为显示前馈装置资料收集表的资料内容的图 。 图18为品质检查的流程图。 图19为步骤完成处理的流程图。 图20为说明改变处理条件场合的3个基准例的图。 图21为说明按区域区分的处理条件设定的思路的 图。图21A为显示晶圆的区域划分的图。图21B为显 示按区域区分处理的设定方法的图。图21C为显示 预想的处理结果的图。图21D为显示不能按区域区 分来设定处理条件之处理装置的区域区分能力的 图。在具有图21D那样的按区域区分的装置特性的 场合,最好选择示于图21B的特性的批量。 图22为说明在实施例中列举的二个处理步骤的图 。 图23为以实施例1的处理步骤的氧化膜乾蚀刻为中 心的各个步骤的图。 图24为形成蚀刻的光阻图案形成阶段的剖面图。 图25为进行了蚀刻后的平面图。 图26为显示实施例2中的反射率与冲除尺寸间的关 系的图。 图27为显示实施例2中的各晶圆的反射率、相对冲 除尺寸及其偏差情况。 |
