光检测装置及其制造方法

摘要

提供可使用各种放大器且电路规模小的光检测装置及其制造方法。第1受光部分PD₁由P型半导体基板上形成的N型第1杂质区和N型第1杂质区表面上形成的P型第2杂质区构成，第2受光部分PD₂由P型半导体基板和其上形成的N型第3杂质区构成。第1和第2受光部分串联连接，所以使用双极型晶体管作为放大装置能够减小光检测装置的电路规模。另外，第1、第2受光部分上分别加反向偏置电压，提高了光灵敏度。此外，可通过第1、第2受光部分的面积比设定检测光的波段。

主权项

1.一种光检测装置，其特征在于包括：由形成在第1导电类型半导体基板上的第2导电类型的第1杂质区和形成在该第1杂质区上的第1导电类型的第2杂质区构成的第1受光部分；由上述第1导电类型半导体基板和形成在该半导体基板上的第2导电类型的第2杂质区构成的、具有与上述第1受光部分不同的光检测特性且和上述第1受光部分串联连接的第2受光部分；从上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位输入上述第1及第2受光部分发生的光电流的差电流并进行放大的放大装置。