| 发明名称 |
Ohmic contact to n-GaN related compound semiconductor and its manufacturing method |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0834929(B1) |
申请公布日期 |
2002.09.18 |
| 申请号 |
EP19970117270 |
申请日期 |
1997.10.06 |
| 申请人 |
TOYODA GOSEI CO., LTD. |
发明人 |
UEMURA, TOSHIYA;SHIBATA, NAOKI |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/302;H01L21/285;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/42;H01S5/042;H01S5/323;(IPC1-7):H01L33/00;H01S5/02 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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