| 发明名称 |
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO. |
| 摘要 |
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS. |
| 申请公布号 |
ES2171415(T3) |
申请公布日期 |
2002.09.16 |
| 申请号 |
ES19930918128T |
申请日期 |
1993.06.23 |
| 申请人 |
UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION |
发明人 |
GUHA, SUBHENDU;YANG, CHI, C.;XU, XIXIANG |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L31/20;(IPC1-7):H01L21/20;C23C16/50;C23C16/54 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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